°£Æí°áÁ¦, ½Å¿ëÄ«µå û±¸ÇÒÀÎ
ÀÎÅÍÆÄÅ© ·Ôµ¥Ä«µå 5% (333,450¿ø)
(ÃÖ´ëÇÒÀÎ 10¸¸¿ø / Àü¿ù½ÇÀû 40¸¸¿ø)
ºÏÇǴϾð ·Ôµ¥Ä«µå 30% (321,000¿ø)
(ÃÖ´ëÇÒÀÎ 3¸¸¿ø / 3¸¸¿ø ÀÌ»ó °áÁ¦)
NH¼îÇÎ&ÀÎÅÍÆÄÅ©Ä«µå 20% (311,000¿ø)
(ÃÖ´ëÇÒÀÎ 4¸¸¿ø / 2¸¸¿ø ÀÌ»ó °áÁ¦)
Close

4Â÷ »ê¾÷Çõ¸íÀÇ ÇÙ½ÉÀ¸·Î ÁÖ¸ñ¹Þ´Â ¹ÝµµÃ¼ À¯¸ÁºÐ¾ßº° ±â¼ú°³¹ß µ¿Çâ°ú ½ÃÀåÀü¸Á

¼Òµæ°øÁ¦

2013³â 9¿ù 9ÀÏ ÀÌÈÄ ´©Àû¼öÄ¡ÀÔ´Ï´Ù.

°øÀ¯Çϱâ
Á¤°¡

390,000¿ø

  • 351,000¿ø (10%ÇÒÀÎ)

    19,500P (5%Àû¸³)

ÇÒÀÎÇýÅÃ
Àû¸³ÇýÅÃ
  • S-Point Àû¸³Àº ¸¶ÀÌÆäÀÌÁö¿¡¼­ Á÷Á¢ ±¸¸ÅÈ®Á¤ÇϽŠ°æ¿ì¸¸ Àû¸³ µË´Ï´Ù.
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  • 5/7(È­) À̳» ¹ß¼Û ¿¹Á¤  (¼­¿ï½Ã °­³²±¸ »ï¼º·Î 512)
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Ã¥¼Ò°³

IRS±Û·Î¹ú¿¡¼­´Â º¯È­Çϴ ȯ°æ¿¡ ¼±Á¦ÀûÀ¸·Î ´ëÀÀÇϱâ À§ÇÑ ¾÷°è °ü°èÀڵ鿡°Ô Á¶±ÝÀ̳ª¸¶ µµ¿òÀÌ µÇ°íÀÚ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ÃÖ±Ù µ¿Çâ°ú ±â¼ú°³¹ß Àü·«À» Á¶»ç ºÐ¼®ÇÏ¿© [¹ÝµµÃ¼ À¯¸ÁºÐ¾ßº° ±â¼ú°³¹ß µ¿Çâ°ú ½ÃÀåÀü¸Á]¸¦ ¹ß°£Çß´Ù.

ÃâÆÇ»ç ¼­Æò

4Â÷ »ê¾÷Çõ¸íÀÇ ÇÙ½ÉÀ¸·Î ÁÖ¸ñ¹Þ´Â, ¹ÝµµÃ¼ À¯¸ÁºÐ¾ßº° ±â¼ú°³¹ß µ¿Çâ°ú ½ÃÀåÀü¸Á

°¡Æ®³Ê´Â ¿¬ÃÊ¿¡ 2018³â Àü¼¼°è ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå ¸ÅÃâÀÌ 4,190¾ï ´Þ·¯¿´´ø 2017³â¿¡ ºñÇØ 7.5% »ó½ÂÇÑ 4,510¾ï ´Þ·¯¿¡ ´ÞÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù. ÀÌ °¡¿îµ¥ ¸Þ¸ð¸® ½ÃÀåÀÌ 195¾ï ´Þ·¯¸¦ Â÷ÁöÇÏ°í, D·¥°ú ³½µåÇ÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®ÀÇ °¡°Ý ÀλóÀÌ Àü¹ÝÀûÀÎ ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå Àü¸ÁÀ» ¹àÈ÷°í ÀÖ´Ù°í ºÐ¼®Çß´Ù.

±×·¯³ª ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷Àº 4Â÷ »ê¾÷Çõ¸íÀÇ ½Ã´ë°¡ µÇ¸é¼­ ±âÁ¸ÀÇ ÁýÀûÈ­µÇ°í Å©±â°¡ ÇÙ½ÉÀ̾ú´ø ±â¼úÀº ÀúÀü·Â, ÃÊ°æ·®, ÃÊ°í¼ÓÀÇ ¹æÇâÀ¸·Î ÁøÈ­ÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ¼ÒÇ°Á¾ ´ë·®»ý»êÀÇ ½ÃÀåµµ »õ·Î¿î ¼ö¿ä°¡ âÃâµÇ¸é¼­ Ç°¸ñÀÌ ´Ù¾çÇØÁö°í ÀÖÀ¸¸ç, °³º°È­µÈ »ýÅ°赵 Çù¾÷°ú À¶ÇÕÀÌ °¡¼ÓÈ­µÇ´Â ¹æÇâÀ¸·Î º¯È­µÇ°í ÀÖ´Ù.

ÀÌ¿¡ ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÀÇ ÁÖµµ±ÇÀ» µÑ·¯½Î°í ÁÖ¿ä±¹Àº ±â¼úÇõ½Å¿¡ ¹ÚÂ÷¸¦ °¡ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ¹Ì±¹Àº ¸Þ¸ð¸®´Â ¹°·Ð ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß ¸ðµÎ¿¡¼­ ³ôÀº ½ÃÀåÁ¡À¯¸¦ ÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç ´º·Î¸ðÇÈĨ°ú Â÷¼¼´ë¸Þ¸ð¸® °³¹ß¿¡ ¿­À» ¿Ã¸®°í ÀÖ´Ù. Áß±¹Àº ¡®¹ÝµµÃ¼ ±¼±â¡¯¸¦ ¼±¾ðÇÏ¸ç ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼¿¡ ÁýÁß ÅõÀÚ¸¦ ÇÏ´Â »óȲÀÌ´Ù. ÀϺ»µµ ¿¹Àüº¸´Ù´Â °æÀï·ÂÀÌ ¶³¾îÁ³´Ù°í´Â Çϳª ¼ÒÀç/Àåºñ ºÐ¾ß´Â ¼¼°è ÃÖ°íÀÇ °æÀï·ÂÀ» °®Ãè´Ù.

±¹³» ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß´Â ¼¼°è ½ÃÀå¿¡¼­ ¾ÐµµÀû Á¡À¯À²À» ÀÚ¶ûÇϸç, DRAMÀº »ï¼ºÀüÀÚ, SKÇÏÀ̴нº, ¸¶ÀÌÅ©·ÐÀÇ 3°­ µ¶°úÁ¡ üÁ¦¸¦ ÀÌ·ç°í ÀÖ°í ³½µåµµ »ï¼ºÀüÀÚ¿Í SKÇÏÀ̴нº°¡ Àý¹ÝÀÌ»óÀÇ ½ÃÀåÀ» Â÷ÁöÇÏ°í ÀÖÁö¸¸ Áß±¹ÀÇ 2019³â ¸Þ¸ð¸®¹ÝµµÃ¼ ÁøÃâÀÌ ¿¹»óµÇ¸é¼­ °ø±Þ°úÀ×ÀÇ °¡´É¼ºÀÌ Á¡ÃÄÁö°í ÀÖ´Â ½ÇÁ¤ÀÌ´Ù.

ÀÌ¿¡ ÇöÀçÀÇ ½ÃÀå °æÀï·ÂÀ» À¯ÁöÇϱâ À§Çؼ­´Â Â÷¼¼´ë ¸Þ¸ð¸® ¼ÒÀÚ, °øÁ¤, ÀåºñÀÇ ÃÊ°ÝÂ÷Àü·«ÀÌ ÇÊ¿äÇÏÁö¸¸, ¸Þ¸ð¸®¿¡ ¹ÝÇØ ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼´Â Àü¹ÝÀûÀ¸·Î ±¹³»ÀÇ °æÀï·ÂÀÌ Ãë¾àÇÑ ½ÇÁ¤ÀÌ´Ù. ±¹³» ±â¾÷ÀÇ ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÁ¡À¯À²Àº 3%°¡ ä ¾ÈµÇ¸ç Â÷·®¿ë ¹ÝµµÃ¼, ¸ð¹ÙÀÏ AP, ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ µî¿¡¼­ °æÀï·Â È®º¸°¡ Àý½ÇÇÑ ½ÇÁ¤ÀÌ´Ù.

ÀÌ¿¡ ÃÖ±Ù »êÀںδ ÈĹ߱¹°ú 5³â °ÝÂ÷ À¯Áö, ¼±Áø±¹°ú °ÝÂ÷ 5³â ±Øº¹À̶ó´Â ¡®Gap 5¡¯ Àü·«À» ¹ßÇ¥ÇÏ°í ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡ À־ 2022³â±îÁö Àåºñ ±¹»êÈ­À² 22%, ¼ÒÀç ±¹»êÈ­À² 70%, ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ Á¡À¯À² 6%, ¿ùµåèÇÁ Àåºñ±â¾÷ 8°³¸¦ ´Þ¼ºÇÏ°Ú´Ù°í ¹àÈù ¹Ù ÀÖ´Ù.

±âÁ¸ ¹ÝµµÃ¼ ´ëºñ 1/1000Àü·ÂÀ¸·Î 1000¹è ¼º´ÉÀ» ³»´Â ¹ÝµµÃ¼¸¦ °³¹ßÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î SiC, GST, GaN µî ½Ç¸®ÄÜÀ» ³Ñ¾î¼­´Â ½Å¼ÒÀç »ó¿ëÈ­ ±â¼ú¿¬±¸¿Í ³ª³ë ´ÜÀ§¸¦ ³Ñ´Â ÇÇÄÚ ·¹º§ °øÁ¤±â¼ú, ´º·Î¸ðÇÈ ÄÄÇ»Æà ½Ã½ºÅÛÀ» °³¹ßÀÌ ¸ñÇ¥ÀÌ´Ù. À¶ÇÕ ½Å½ÃÀåÀ» °³Ã´Çϱâ À§ÇØ ÀÚµ¿Â÷, °¡Àü, ¿¡³ÊÁö, ¹ÙÀÌ¿À, ±â°è µî 5´ë ºÐ¾ßÀÇ »ó½Ã Çù·Âü°èµµ ±¸ÃàÇÑ´Ù. °øµ¿ R&D´Â ¹°·Ð ±¹Á¦Ç¥ÁØ ´ëÀÀ, ÇØ¿ÜÁøÃâ µî °øµ¿ ÇÁ·ÎÁ§Æ®¸¦ Àû±Ø ÃßÁøÇѴٴ û»çÁøÀ» ´ã°í ÀÖ´Ù.

ÀÌ¿¡ IRS±Û·Î¹ú¿¡¼­´Â º¯È­Çϴ ȯ°æ¿¡ ¼±Á¦ÀûÀ¸·Î ´ëÀÀÇϱâ À§ÇÑ ¾÷°è °ü°èÀڵ鿡°Ô Á¶±ÝÀ̳ª¸¶ µµ¿òÀÌ µÇ°íÀÚ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ÃÖ±Ù µ¿Çâ°ú ±â¼ú°³¹ß Àü·«À» Á¶»ç ºÐ¼®ÇÏ¿© º»¼­¸¦ ¹ß°£ÇÏ°Ô µÇ¾úÀ¸¸ç, ¸ðÂÉ·Ï µµ¿òÀÌ µÇ±æ ±â´ëÇØ º»´Ù.

°¡Æ®³Ê´Â ¿¬ÃÊ¿¡ 2018³â Àü¼¼°è ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå ¸ÅÃâÀÌ 4,190¾ï ´Þ·¯¿´´ø 2017³â¿¡ ºñÇØ 7.5% »ó½ÂÇÑ 4,510¾ï ´Þ·¯¿¡ ´ÞÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù. ÀÌ °¡¿îµ¥ ¸Þ¸ð¸® ½ÃÀåÀÌ 195¾ï ´Þ·¯¸¦ Â÷ÁöÇÏ°í, D·¥°ú ³½µåÇ÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸®ÀÇ °¡°Ý ÀλóÀÌ Àü¹ÝÀûÀÎ ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå Àü¸ÁÀ» ¹àÈ÷°í ÀÖ´Ù°í ºÐ¼®Çß´Ù.

±×·¯³ª ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷Àº 4Â÷ »ê¾÷Çõ¸íÀÇ ½Ã´ë°¡ µÇ¸é¼­ ±âÁ¸ÀÇ ÁýÀûÈ­µÇ°í Å©±â°¡ ÇÙ½ÉÀ̾ú´ø ±â¼úÀº ÀúÀü·Â, ÃÊ°æ·®, ÃÊ°í¼ÓÀÇ ¹æÇâÀ¸·Î ÁøÈ­ÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ¼ÒÇ°Á¾ ´ë·®»ý»êÀÇ ½ÃÀåµµ »õ·Î¿î ¼ö¿ä°¡ âÃâµÇ¸é¼­ Ç°¸ñÀÌ ´Ù¾çÇØÁö°í ÀÖÀ¸¸ç, °³º°È­µÈ »ýÅ°赵 Çù¾÷°ú À¶ÇÕÀÌ °¡¼ÓÈ­µÇ´Â ¹æÇâÀ¸·Î º¯È­µÇ°í ÀÖ´Ù.

ÀÌ¿¡ ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÀÇ ÁÖµµ±ÇÀ» µÑ·¯½Î°í ÁÖ¿ä±¹Àº ±â¼úÇõ½Å¿¡ ¹ÚÂ÷¸¦ °¡ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ¹Ì±¹Àº ¸Þ¸ð¸®´Â ¹°·Ð ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß ¸ðµÎ¿¡¼­ ³ôÀº ½ÃÀåÁ¡À¯¸¦ ÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç ´º·Î¸ðÇÈĨ°ú Â÷¼¼´ë¸Þ¸ð¸® °³¹ß¿¡ ¿­À» ¿Ã¸®°í ÀÖ´Ù. Áß±¹Àº ¡®¹ÝµµÃ¼ ±¼±â¡¯¸¦ ¼±¾ðÇÏ¸ç ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼¿¡ ÁýÁß ÅõÀÚ¸¦ ÇÏ´Â »óȲÀÌ´Ù. ÀϺ»µµ ¿¹Àüº¸´Ù´Â °æÀï·ÂÀÌ ¶³¾îÁ³´Ù°í´Â Çϳª ¼ÒÀç/Àåºñ ºÐ¾ß´Â ¼¼°è ÃÖ°íÀÇ °æÀï·ÂÀ» °®Ãè´Ù.

±¹³» ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß´Â ¼¼°è ½ÃÀå¿¡¼­ ¾ÐµµÀû Á¡À¯À²À» ÀÚ¶ûÇϸç, DRAMÀº »ï¼ºÀüÀÚ, SKÇÏÀ̴нº, ¸¶ÀÌÅ©·ÐÀÇ 3°­ µ¶°úÁ¡ üÁ¦¸¦ ÀÌ·ç°í ÀÖ°í ³½µåµµ »ï¼ºÀüÀÚ¿Í SKÇÏÀ̴нº°¡ Àý¹ÝÀÌ»óÀÇ ½ÃÀåÀ» Â÷ÁöÇÏ°í ÀÖÁö¸¸ Áß±¹ÀÇ 2019³â ¸Þ¸ð¸®¹ÝµµÃ¼ ÁøÃâÀÌ ¿¹»óµÇ¸é¼­ °ø±Þ°úÀ×ÀÇ °¡´É¼ºÀÌ Á¡ÃÄÁö°í ÀÖ´Â ½ÇÁ¤ÀÌ´Ù.

ÀÌ¿¡ ÇöÀçÀÇ ½ÃÀå °æÀï·ÂÀ» À¯ÁöÇϱâ À§Çؼ­´Â Â÷¼¼´ë ¸Þ¸ð¸® ¼ÒÀÚ, °øÁ¤, ÀåºñÀÇ ÃÊ°ÝÂ÷Àü·«ÀÌ ÇÊ¿äÇÏÁö¸¸, ¸Þ¸ð¸®¿¡ ¹ÝÇØ ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼´Â Àü¹ÝÀûÀ¸·Î ±¹³»ÀÇ °æÀï·ÂÀÌ Ãë¾àÇÑ ½ÇÁ¤ÀÌ´Ù. ±¹³» ±â¾÷ÀÇ ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÁ¡À¯À²Àº 3%°¡ ä ¾ÈµÇ¸ç Â÷·®¿ë ¹ÝµµÃ¼, ¸ð¹ÙÀÏ AP, ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ µî¿¡¼­ °æÀï·Â È®º¸°¡ Àý½ÇÇÑ ½ÇÁ¤ÀÌ´Ù.

ÀÌ¿¡ ÃÖ±Ù »êÀںδ ÈĹ߱¹°ú 5³â °ÝÂ÷ À¯Áö, ¼±Áø±¹°ú °ÝÂ÷ 5³â ±Øº¹À̶ó´Â ¡®Gap 5¡¯ Àü·«À» ¹ßÇ¥ÇÏ°í ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡ À־ 2022³â±îÁö Àåºñ ±¹»êÈ­À² 22%, ¼ÒÀç ±¹»êÈ­À² 70%, ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ Á¡À¯À² 6%, ¿ùµåèÇÁ Àåºñ±â¾÷ 8°³¸¦ ´Þ¼ºÇÏ°Ú´Ù°í ¹àÈù ¹Ù ÀÖ´Ù.

±âÁ¸ ¹ÝµµÃ¼ ´ëºñ 1/1000Àü·ÂÀ¸·Î 1000¹è ¼º´ÉÀ» ³»´Â ¹ÝµµÃ¼¸¦ °³¹ßÇÏ´Â °ÍÀ¸·Î SiC, GST, GaN µî ½Ç¸®ÄÜÀ» ³Ñ¾î¼­´Â ½Å¼ÒÀç »ó¿ëÈ­ ±â¼ú¿¬±¸¿Í ³ª³ë ´ÜÀ§¸¦ ³Ñ´Â ÇÇÄÚ ·¹º§ °øÁ¤±â¼ú, ´º·Î¸ðÇÈ ÄÄÇ»Æà ½Ã½ºÅÛÀ» °³¹ßÀÌ ¸ñÇ¥ÀÌ´Ù. À¶ÇÕ ½Å½ÃÀåÀ» °³Ã´Çϱâ À§ÇØ ÀÚµ¿Â÷, °¡Àü, ¿¡³ÊÁö, ¹ÙÀÌ¿À, ±â°è µî 5´ë ºÐ¾ßÀÇ »ó½Ã Çù·Âü°èµµ ±¸ÃàÇÑ´Ù. °øµ¿ R&D´Â ¹°·Ð ±¹Á¦Ç¥ÁØ ´ëÀÀ, ÇØ¿ÜÁøÃâ µî °øµ¿ ÇÁ·ÎÁ§Æ®¸¦ Àû±Ø ÃßÁøÇѴٴ û»çÁøÀ» ´ã°í ÀÖ´Ù.

ÀÌ¿¡ IRS±Û·Î¹ú¿¡¼­´Â º¯È­Çϴ ȯ°æ¿¡ ¼±Á¦ÀûÀ¸·Î ´ëÀÀÇϱâ À§ÇÑ ¾÷°è °ü°èÀڵ鿡°Ô Á¶±ÝÀ̳ª¸¶ µµ¿òÀÌ µÇ°íÀÚ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ÃÖ±Ù µ¿Çâ°ú ±â¼ú°³¹ß Àü·«À» Á¶»ç ºÐ¼®ÇÏ¿© º»¼­¸¦ ¹ß°£ÇÏ°Ô µÇ¾úÀ¸¸ç, ¸ðÂÉ·Ï µµ¿òÀÌ µÇ±æ ±â´ëÇØ º»´Ù.

2018³â 5¿ù 11ÀÏ IRS Global

¸ñÂ÷

4Â÷ »ê¾÷Çõ¸íÀÇ ÇÙ½ÉÀ¸·Î ÁÖ¸ñ¹Þ´Â, ¹ÝµµÃ¼ À¯¸ÁºÐ¾ßº° ±â¼ú°³¹ß µ¿Çâ°ú ½ÃÀåÀü¸Á

¥°. ±¹³»¿Ü ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á


1. ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ °³¿ä¿Í µ¿Çâ
1-1. ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå °³¿ä¿Í µ¿Çâ
1) Á¤ÀÇ¿Í °³¿ä
- (1) Á¤ÀÇ
- (2) ¹üÀ§ ¹× ºÐ·ù¿Í ¿ëµµ
2) ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶°øÁ¤
- (1) ¹ÝµµÃ¼ ĨÀÇ Á¦Á¶ °øÁ¤
- (2) ÆÒ-¾Æ¿ô ¿þÀÌÆÛ ·¹º§ ÆÐÅ°Áö(FOWLP) ±â¼ú
1-2. ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå ÃÖ±Ù µ¿Çâ°ú Àü¸Á
1) ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå µ¿Çâ
- (1) Ç°¸ñº° ÁÖ¿ä µ¿Çâ
- (2) ¾÷üº° ÁÖ¿ä µ¿Çâ
- (3) ±¹°¡º° ÁÖ¿ä µ¿Çâ
2) ¹ÝµµÃ¼ ¼ö±Þ Àü¸Á
- (1) ¼ö¿ä½ÃÀå Àü¸Á
- (2) °ø±Þ½ÃÀå Àü¸Á
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷º° µ¿Çâ
- (1) Áß±¹ÀÇ °ø±Þ ´É·Â È®´ë
- (2) ÁÖ¿ä ¹ÝµµÃ¼ ¾÷üÀÇ »ý»ê´É·Â °­È­
4) ÁÖ¿ä±¹ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ À°¼º Á¤Ã¥µ¿Çâ
- (1) ÁÖ¿ä±¹ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ Á¤Ã¥µ¿Çâ
- (2) ÁÖ¿ä±¹ÀÇ SiC, GaN Àü·Â¹ÝµµÃ¼ À°¼º Á¤Ã¥

2. ¹ÝµµÃ¼ ¼ö¿ä¸¦ °ßÀÎÇÏ´Â 4Â÷ »ê¾÷Çõ¸í À¯¸Á ¼ö¿äºÐ¾ß µ¿Çâ
2-1. AI(ÀΰøÁö´É)
1) °³³ä
2) Çٽɱâ¼ú°ú °³¹ßµ¿Çâ
3) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
- (1) ÁÖ¿ä±â¾÷ µ¿Çâ
- (2) ½ÃÀå Àü¸Á
- (3) ´Ù¾çÇÑ ¼ö¿ä ºÐ¾ß¿¡¼­ Àû¿ëÀÌ ¿¹»ó
2-2. 5G À̵¿Åë½Å
1) 5G °³¿ä
- (1) °³³ä
- (2) À̵¿Åë½Å ¹ßÀü°úÁ¤
- (3) ÁÖ¿ä Çٽɱâ¼úº° Á¤ÀÇ
- (4) 5G ±â¼ú µ¿Çâ
2) ±Û·Î¹ú 5G À̵¿Åë½Å ½ÃÀå Àü¸Á
- (1) 5G ½ÃÀå Àü¸Á
- (2) 5G »ó¿ëÈ­¿¡ ´ëÇÑ ÁÖ¿ä ±¹°¡º° ÃÖ±Ù µ¿Çâ
3) ±Û·Î¹ú 5G ³×Æ®¿öÅ© Àåºñ ½ÃÀå
- (1) ±Û·Î¹ú ³×Æ®¿öÅ© Àåºñ ½ÃÀå µ¿Çâ
- (2) ¹Ì±¹ 5G ³×Æ®¿öÅ© ½ÃÀå
4) 5G À̵¿Åë½Å»ê¾÷ ¹ßÀüÀü·«(2017~2021) ¼¼ºÎ ÃßÁø°èȹ(¾È)
- (1) Àü·«1. 5G Á¶±â»ó¿ëÈ­¸¦ ÅëÇÑ À¶ÇÕ½ÃÀå ¼±µµ
- (2) Àü·«2. 5G Çٽɱâ¼ú °æÀï·Â È®º¸
- (3) Àü·«3. 5G Åë½ÅÇ¥ÁØ È®º¸ ¹× À¶ÇÕÇ¥ÁØ ÁÖµµ
- (4) Àü·«4. 5G À¶ÇÕ»ê¾÷ »ýÅ°è Á¶¼º
- (5) ¼Ò¿ä¿¹»ê
- (6) ÁÖ¿ä ÀÏÁ¤
2-3. IoT(»ç¹°ÀÎÅͳÝ)
1) IoT °³³ä
- (1) °³³ä
- (2) ±¸¼º ¿ä¼Ò
2) »ç¹°ÀÎÅÍ³Ý °æÁ¦Àû °¡Ä¡
- (1) IoT Àû¿ë¿¡ µû¸¥ °æÁ¦Àû °¡Ä¡
- (2) Ȩ IoT(½º¸¶Æ®È¨)
- (3) »ê¾÷ IoT(IIoT-Inderstrial IoT)
- (4) °ø°ø IoT
- (5) IoT µð¹ÙÀ̽º
3) »ç¹°ÀÎÅͳÝÀÇ »ýÅ°è¿Í ÁøÈ­¹æÇâ
- (1) »ç¹°ÀÎÅÍ³Ý »ýÅ°è(Value Chain)
- (2) »ç¹°ÀÎÅÍ³Ý Àû¿ë ¼­ºñ½º À¯Çü ±¸ºÐ°ú »ç·Ê
4) »ç¹°ÀÎÅÍ³Ý ½ÃÀå¿¡¼­ÀÇ Åë½Å»ç¾÷ÀÚÀÇ Á߿伺
5) IoT ½ÃÀåÀü¸Á
2-4. ºòµ¥ÀÌÅÍ
1) ºòµ¥ÀÌÅÍ °³³ä
- (1) °³³ä
2) ±â¼úºÐ·ù ü°è
3) Àû¿ë¹üÀ§¿Í È°¿ë»ç·Ê
4) ºòµ¥ÀÌÅÍ ÃÖ±Ù µ¿Çâ
5) ºÎ¹®º° ºòµ¥ÀÌÅÍ ½ÃÀå±Ô¸ð
6) ºòµ¥ÀÌÅÍ ½ÃÀå Àü¸Á
2-5. ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍ
1) ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍ °³¿ä
- (1) Á¤ÀÇ¿Í °³¿ä
- (2) ºÐ·ù
- (3) µîÀå¹è°æ
2) ÁÖ¿ä±¹ ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍ °³¹ß µ¿Çâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
- (1) ±Û·Î¹ú ´ë±â¾÷ µ¿Çâ
- (2) ÁÖ¿ä Start-up °³¹ßµ¿Çâ
4) ½ÃÀ嵿Çâ°ú Àü¸Á
- (1) ÃÖ±Ù ±Û·Î¹ú È­µÎ·Î µîÀå
- (2) ½ÃÀå Àü¸Á
2-6. ºí·ÏüÀÎ
1) °³³ä
2) ÇÙ½É ±â¼ú°ú °³¹ß µ¿Çâ
3) ½ÃÀå Àü¸Á
2-7. Ä¿³ØƼµåÄ«¤ýÀÚÀ²ÁÖÇàÂ÷ ½ÃÀå
1) °³³ä
2) Çٽɱâ¼ú°ú °³¹ßµ¿Çâ
- (1) ±â¼úµ¿Çâ
- (2) ÁÖ¿ä±¹ °³¹ß ¹× Á¤Ã¥µ¿Çâ
3) ½ÃÀå Àü¸Á
- (1) ÁÖ¿ä±â¾÷ µ¿Çâ
- (2) ½ÃÀå Àü¸Á
- (3) ÀÚÀ²ÁÖÇà±â¹Ý ´Ù¾çÇÑ ¸ðºô¸®Æ¼ µîÀå Àü¸Á

¥±. À¯¸Á ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿Í ºÎÇ°¡¤¼ÒÀç ½ÃÀå, ±â¼ú µ¿Çâ

1. À¯¸Á ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
1-1. AI¹ÝµµÃ¼
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
- (1) Á¤ÀÇ¿Í À¯Çü
- (2) ´ëµÎ ¹è°æ
2) ½ÃÀå ºÐ·ù¿Í Ư¼º
- (1) ½ÃÀå ºÐ·ù
- (2) ½ÃÀå Ư¼º
3) ÁÖ¿ä±¹º° AI ¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷ µ¿Çâ
- (1) ¹Ì±¹
- (2) Áß±¹
- (3) ±¹³»
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
1-2. Àü·Â ¹ÝµµÃ¼
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
- (1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
- (2) ºÐ·ù¿Í ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
- (1) ½ÃÀå Ư¼º
- (2) ±â¼ú°³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
1-3. ÀÚµ¿Â÷¿ë ¹ÝµµÃ¼
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
- (1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
- (2) ºÐ·ù ¹× ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
- (1) »ê¾÷ Ư¼º
- (2) ±â¼ú °³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
5) ÀÚÀ²Â÷ ¿µ»ó ºÐ¼®¿ë SoC
- (1) Embedded Vision System°ú SoC Çʿ伺
- (2) ¿µ»óó¸® ¾Ë°í¸®Áò °³¿ä
- (3) ÀÚµ¿Â÷ ºñÀü¿ë SoC °³¹ß ÇöȲ

2. ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ºÎÇ°¼ÒÀç ½ÃÀ嵿Çâ°ú Àü¸Á
2-1. Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ®
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
- (1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
- (2) ºÐ·ù¿Í ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
- (1) ½ÃÀå Ư¼º
- (2) ±â¼ú°³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
2-2. ALD Àü±¸Ã¼
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
- (1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
- (2) ºÐ·ù¿Í ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
- (1) ½ÃÀå Ư¡
- (2) ±â¼ú°³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
2-3. ¿¬¸¶Àç(CMP ½½·¯¸®)
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
- (1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
- (2) ºÐ·ù ¹× ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
- (1) ½ÃÀå Ư¡
- (2) ±â¼ú°³¹ß Æ®·»µå
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷º° µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
2-4. TSV¿ë ÆÐŰ¡ ¼ÒÀç
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
- (1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
- (2) ºÐ·ù ¹× ¹üÀ§
- (3) TSV ±â¼ú¿¡ µû¸¥ 3D IC ÁýÀûÀÇ °³¿ä
2) ½ÃÀå Ư¼º
- (1) ½ÃÀå Ư¡
- (2) ±â¼ú°³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á

3. ±¹³» ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ À°¼º Á¤Ã¥µ¿Çâ
3-1. ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ »ê¾÷ °æÀï·Â °­È­ ¹æ¾È
1) °³¿ä
2) ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ »ê¾÷ °æÀï·Â °­È­ ¹æ¾È
- (1) ±âº» ¹æÇâ
- (2) ¼¼ºÎ ÃßÁø ¹æ¾È
- (3) ÃßÁøÀÏÁ¤ ¹× ÇâÈÄ°èȹ
3-2. ½º¸¶Æ®¼¾¼­ »ê¾÷ À°¼º Á¤Ã¥ µ¿Çâ
1) ¼¾¼­»ê¾÷ ¹ßÀüÀü·«
- (1) °³¿ä
- (2) ¼¾¼­»ê¾÷ ¹ßÀüÀü·« ºñÀü ¹× ¸ñÇ¥
- (3) ¼¼ºÎ ÃßÁø°úÁ¦
- (4) ±â´ëÈ¿°ú
- (5) ¼¼ºÎ ÃßÁøÀÏÁ¤(¾È)
- (6) ¿¬Â÷º° ¼Ò¿ä Àç¿ø(¾È)
2) ÷´Ü½º¸¶Æ®¼¾¼­ À°¼º »ç¾÷
- (1) °³¿ä
- (2) ¹Ì·¡¼ºÀ嵿·Â »ê¾÷¿£Áø °³¹ßÀü·«°ú ¼¾¼­ À°¼ºÀü·«
3-3. Áö´ÉÇü ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß ¹Ì·¡ ¼ºÀ嵿·Â Á¾ÇÕ ½Çõ°èȹ°ú Àü·«
1) °³³ä ¹× Á¤ÀÇ
- (1) °³³ä
- (2) ¹üÀ§
- (3) ÁÖ¿ä ÇÙ½É ±â¼úº° Á¤ÀÇ
- (4) 2020³â ÇÙ½É Á¦Ç° À¯Çü
2) Á¾Çպм® ¹× ÃßÁøÀü·«
- (1) Á¾Çպм®
- (2) ÃßÁøÀü·«
3) ¸ñÇ¥ ¹× ´Ü°èº° ÃßÁøÀü·«
4) Àü·«º° ¼¼ºÎ ÃßÁø³»¿ë
- (1) Áö´ÉÇü¹ÝµµÃ¼ µµ¾à ±â¹Ý ±¸Ãà
- (2) Â÷¼¼´ë Á¦Ç°°³¹ß Ç÷§Æû ±¸Ãà
- (3) ¹Ì·¡½ÃÀå ÁÖµµÇü »ê¾÷¹ßÀü ±â¹Ý±¸Ãà

¥². Áö´ÉÇü ¹ÝµµÃ¼ ƯÇã µ¿Çâ°ú ¿¬±¸°úÁ¦ ÇöȲ

1. ÁÖ¿ä ¹ÝµµÃ¼(¼ÒÀÚ, ºÎÇ°¤ý¼ÒÀç, Á¦Á¶±â¼ú)»ê¾÷ ƯÇã µ¿Çâ
1-1. ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼ ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿ø µ¿Çâ
2) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-2. ÀΰøÁö´É(AI) ¹ÝµµÃ¼ ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) Ãâ¿øÀκ° ƯÇã µ¿Çâ
3) ¼¼ºÎ ±â¼úº° ƯÇã µ¿Çâ
1-3. Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ƯÇ㵿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿ø µ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3) ÇÙ½É ±â¼úº° µ¿Çâ
4) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-4. ÀÚµ¿Â÷¿ë ¹ÝµµÃ¼ ƯÇ㵿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿ø µ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3

¥°. ±¹³»¿Ü ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á

1. ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ °³¿ä¿Í µ¿Çâ
1-1. ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå °³¿ä¿Í µ¿Çâ
1) Á¤ÀÇ¿Í °³¿ä
(1) Á¤ÀÇ
(2) ¹üÀ§ ¹× ºÐ·ù¿Í ¿ëµµ
2) ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶°øÁ¤
(1) ¹ÝµµÃ¼ ĨÀÇ Á¦Á¶ °øÁ¤
(2) ÆÒ-¾Æ¿ô ¿þÀÌÆÛ ·¹º§ ÆÐÅ°Áö(FOWLP) ±â¼ú
1-2. ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå ÃÖ±Ù µ¿Çâ°ú Àü¸Á
1) ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå µ¿Çâ
(1) Ç°¸ñº° ÁÖ¿ä µ¿Çâ
(2) ¾÷üº° ÁÖ¿ä µ¿Çâ
(3) ±¹°¡º° ÁÖ¿ä µ¿Çâ
2) ¹ÝµµÃ¼ ¼ö±Þ Àü¸Á
(1) ¼ö¿ä½ÃÀå Àü¸Á
(2) °ø±Þ½ÃÀå Àü¸Á
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷º° µ¿Çâ
(1) Áß±¹ÀÇ °ø±Þ ´É·Â È®´ë
(2) ÁÖ¿ä ¹ÝµµÃ¼ ¾÷üÀÇ »ý»ê´É·Â °­È­
4) ÁÖ¿ä±¹ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ À°¼º Á¤Ã¥µ¿Çâ
(1) ÁÖ¿ä±¹ ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ Á¤Ã¥µ¿Çâ
(2) ÁÖ¿ä±¹ÀÇ SiC, GaN Àü·Â¹ÝµµÃ¼ À°¼º Á¤Ã¥

2. ¹ÝµµÃ¼ ¼ö¿ä¸¦ °ßÀÎÇÏ´Â 4Â÷ »ê¾÷Çõ¸í À¯¸Á ¼ö¿äºÐ¾ß µ¿Çâ
2-1. AI(ÀΰøÁö´É)
1) °³³ä
2) Çٽɱâ¼ú°ú °³¹ßµ¿Çâ
3) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
(1) ÁÖ¿ä±â¾÷ µ¿Çâ
(2) ½ÃÀå Àü¸Á
(3) ´Ù¾çÇÑ ¼ö¿ä ºÐ¾ß¿¡¼­ Àû¿ëÀÌ ¿¹»ó
2-2. 5G À̵¿Åë½Å
1) 5G °³¿ä
(1) °³³ä
(2) À̵¿Åë½Å ¹ßÀü°úÁ¤
(3) ÁÖ¿ä Çٽɱâ¼úº° Á¤ÀÇ
(4) 5G ±â¼ú µ¿Çâ
2) ±Û·Î¹ú 5G À̵¿Åë½Å ½ÃÀå Àü¸Á
(1) 5G ½ÃÀå Àü¸Á
(2) 5G »ó¿ëÈ­¿¡ ´ëÇÑ ÁÖ¿ä ±¹°¡º° ÃÖ±Ù µ¿Çâ
3) ±Û·Î¹ú 5G ³×Æ®¿öÅ© Àåºñ ½ÃÀå
(1) ±Û·Î¹ú ³×Æ®¿öÅ© Àåºñ ½ÃÀå µ¿Çâ
(2) ¹Ì±¹ 5G ³×Æ®¿öÅ© ½ÃÀå
4) 5G À̵¿Åë½Å»ê¾÷ ¹ßÀüÀü·«(2017~2021) ¼¼ºÎ ÃßÁø°èȹ(¾È)
(1) Àü·«1. 5G Á¶±â»ó¿ëÈ­¸¦ ÅëÇÑ À¶ÇÕ½ÃÀå ¼±µµ
(2) Àü·«2. 5G Çٽɱâ¼ú °æÀï·Â È®º¸
(3) Àü·«3. 5G Åë½ÅÇ¥ÁØ È®º¸ ¹× À¶ÇÕÇ¥ÁØ ÁÖµµ
(4) Àü·«4. 5G À¶ÇÕ»ê¾÷ »ýÅ°è Á¶¼º
(5) ¼Ò¿ä¿¹»ê
(6) ÁÖ¿ä ÀÏÁ¤
2-3. IoT(»ç¹°ÀÎÅͳÝ)
1) IoT °³³ä
(1) °³³ä
(2) ±¸¼º ¿ä¼Ò
2) »ç¹°ÀÎÅÍ³Ý °æÁ¦Àû °¡Ä¡
(1) IoT Àû¿ë¿¡ µû¸¥ °æÁ¦Àû °¡Ä¡
(2) Ȩ IoT(½º¸¶Æ®È¨)
(3) »ê¾÷ IoT(IIoT-Inderstrial IoT)
(4) °ø°ø IoT
(5) IoT µð¹ÙÀ̽º
3) »ç¹°ÀÎÅͳÝÀÇ »ýÅ°è¿Í ÁøÈ­¹æÇâ
(1) »ç¹°ÀÎÅÍ³Ý »ýÅ°è(Value Chain)
(2) »ç¹°ÀÎÅÍ³Ý Àû¿ë ¼­ºñ½º À¯Çü ±¸ºÐ°ú »ç·Ê
4) »ç¹°ÀÎÅÍ³Ý ½ÃÀå¿¡¼­ÀÇ Åë½Å»ç¾÷ÀÚÀÇ Á߿伺
5) IoT ½ÃÀåÀü¸Á
2-4. ºòµ¥ÀÌÅÍ
1) ºòµ¥ÀÌÅÍ °³³ä
(1) °³³ä
2) ±â¼úºÐ·ù ü°è
3) Àû¿ë¹üÀ§¿Í È°¿ë»ç·Ê
4) ºòµ¥ÀÌÅÍ ÃÖ±Ù µ¿Çâ
5) ºÎ¹®º° ºòµ¥ÀÌÅÍ ½ÃÀå±Ô¸ð
6) ºòµ¥ÀÌÅÍ ½ÃÀå Àü¸Á
2-5. ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍ
1) ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍ °³¿ä
(1) Á¤ÀÇ¿Í °³¿ä
(2) ºÐ·ù
(3) µîÀå¹è°æ
2) ÁÖ¿ä±¹ ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍ °³¹ß µ¿Çâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
(1) ±Û·Î¹ú ´ë±â¾÷ µ¿Çâ
(2) ÁÖ¿ä Start-up °³¹ßµ¿Çâ
4) ½ÃÀ嵿Çâ°ú Àü¸Á
(1) ÃÖ±Ù ±Û·Î¹ú È­µÎ·Î µîÀå
(2) ½ÃÀå Àü¸Á
2-6. ºí·ÏüÀÎ
1) °³³ä
2) ÇÙ½É ±â¼ú°ú °³¹ß µ¿Çâ
3) ÇÙ½É ±â¼úº° µ¿Çâ
4) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-5. źȭ±Ô¼Ò(SiC) ¹ÝµµÃ¼ ƯÇ㵿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3) ±â¼úº° ƯÇã ÇöȲ
1-6. Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ® ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿øµ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3) ÇÙ½É ±â¼úº° µ¿Çâ
4) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-7. ALD Àü±¸Ã¼ ƯÇ㵿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿øµ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3) ÇÙ½É ±â¼úº° µ¿Çâ
4) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-8. ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶±â¼ú ºÐ¾ß ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) Ãâ¿øÀκ° ƯÇã µ¿Çâ
3) Á¦Á¶±â¼úº° ƯÇã µ¿Çâ
1-9. ¹ÝµµÃ¼ ÆÐŰ¡ºÐ¾ß ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) Ãâ¿øÀκ° Ãâ¿ø µ¿Çâ
1-10. ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶, ³ë±¤±â¼ú ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) Ãâ¿øÀκ° ƯÇã µ¿Çâ

2. ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
2-1. ¹Ì·¡¼ºÀ嵿·Â»ç¾÷(Áö´ÉÇü¹ÝµµÃ¼) ÃßÁø ·Îµå¸Ê
1) ÃßÁø ·Îµå¸Ê(2020)
2) ÃßÁø°úÁ¦º° ÀÏÁ¤°ú ¼Ò¿ä¿¹»ê
2-2. Áß¼Ò Áß°ß±â¾÷¿ë ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú °³¹ß ·Îµå¸Ê
1) Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
- (1) À¯¸Á Çٽɱâ¼ú ºÐ¾ß ¼±Á¤
- (2) Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ±â¼ú·Îµå¸Ê(2017-2019)
- (3) Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß ¿¬±¸°³¹ß ¸ñÇ¥ ¼³Á¤
2) ÀÚµ¿Â÷¿ë ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
- (1) À¯¸Á Çٽɱâ¼ú ºÐ¾ß ¼±Á¤
- (2) ÀÚµ¿Â÷ SoC ºÎÇ° ±â¼ú·Îµå¸Ê(2017-2019)
- (3) ÀÚµ¿Â÷ SoC ºÎÇ° ºÐ¾ß ¿¬±¸°³¹ß ¸ñÇ¥ ¼³Á¤
3) Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ® ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
- (1) À¯¸Á Çٽɱâ¼ú ºÐ¾ß ¼±Á¤
- (2) Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ® ±â¼ú·Îµå¸Ê(2017-2019)
- (3) Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ® ºÐ¾ß ¿¬±¸°³¹ß ¸ñÇ¥ ¼³Á¤
4) ALD Àü±¸Ã¼ ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
- (1) À¯¸Á Çٽɱâ¼ú ºÐ¾ß ¼±Á¤
- (2) ALD Àü±¸Ã¼ ±â¼ú·Îµå¸Ê(2017-2019)
- (3) ALD Àü±¸Ã¼ ºÐ¾ß ¿¬±¸°³¹ß ¸ñÇ¥ ¼³Á¤

3. Áö´ÉÇü ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú°³¹ß Àü·«°ú ¿¬±¸°úÁ¦
3-1. ¹Ì·¡¼ºÀ嵿·Â»ç¾÷ Áö¿ø °úÁ¦(2017³â 1, 2Â÷)
1) (ÃÑ°ý°úÁ¦)Àü±âÀÚµ¿Â÷ ¹× ½ÅÀç»ý¿¡³ÊÁö¿ë SiC ÆÄ¿ö¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ °æÀï·Â °­È­¸¦ À§ÇÑ SiC MOS ¼ÒÀÚ ±â¼ú °³¹ß ¹× ÀÏ°ý °øÁ¤ ±¸Ãà
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
2) (1¼¼ºÎ°úÁ¦) Àü±âÀÚµ¿Â÷ ¹× ½ÅÀç»ý¿¡³ÊÁö¿ë 1200V±Þ TrenchÇü SiC MOSFET ¼ÒÀÚ °³¹ß
- (1) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (2) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3) (2¼¼ºÎ°úÁ¦) Àü±âÀÚµ¿Â÷ ¹× ½ÅÀç»ý¿¡³ÊÁö¿ë 1200V±Þ Trench¿ë SiC ¸ðµâ °³¹ß
- (1) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (2) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
4) 650V/50A±Þ ÀúÀúÇ× Super Junction ÆÄ¿ö MOSFET °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
5) 1200V±Þ °íÈ¿À² Super Junction Trench Si IGBT ±â¼ú °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
6) 100V/600A±Þ MOSFET ¸ðµâ °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
7) »ê¾÷¿ë 650V±Þ MOSFET ¸ðµâ °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
8) IoT µð¹ÙÀ̽º¿ë °íÈ¿À² Advanced Energy Hub ½Ã½ºÅÛ ±â¼ú °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
9) ÀÚµ¿Â÷ AVM(Around View Monitor)¿ë Full HD CMOS À̹ÌÁö ¼¾¼­ °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
10) Water-proofÇü ¸ÖƼä³Î ÅÍÄ¡ µð½ºÇ÷¹ÀÌ ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
11) ¸ð¹ÙÀÏ Ä«¸Þ¶ó¿ë ±¤ÇÐ½Ä ¼Õ¶³¸² º¸Á¤ ¹× AF ±¸µ¿ SoC °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
12) ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ ±Û·Î¹ú ½ÃÀå
) ½ÃÀå Àü¸Á
2-7. Ä¿³ØƼµåÄ«¤ýÀÚÀ²ÁÖÇàÂ÷ ½ÃÀå
1) °³³ä
2) Çٽɱâ¼ú°ú °³¹ßµ¿Çâ
(1) ±â¼úµ¿Çâ
(2) ÁÖ¿ä±¹ °³¹ß ¹× Á¤Ã¥µ¿Çâ
3) ½ÃÀå Àü¸Á
(1) ÁÖ¿ä±â¾÷ µ¿Çâ
(2) ½ÃÀå Àü¸Á
(3) ÀÚÀ²ÁÖÇà±â¹Ý ´Ù¾çÇÑ ¸ðºô¸®Æ¼ µîÀå Àü¸Á

¥±. À¯¸Á ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿Í ºÎÇ°¡¤¼ÒÀç ½ÃÀå, ±â¼ú µ¿Çâ

1. À¯¸Á ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
1-1. AI¹ÝµµÃ¼
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
(1) Á¤ÀÇ¿Í À¯Çü
(2) ´ëµÎ ¹è°æ
2) ½ÃÀå ºÐ·ù¿Í Ư¼º
(1) ½ÃÀå ºÐ·ù
(2) ½ÃÀå Ư¼º
3) ÁÖ¿ä±¹º° AI ¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷ µ¿Çâ
(1) ¹Ì±¹
(2) Áß±¹
(3) ±¹³»
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
1-2. Àü·Â ¹ÝµµÃ¼
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
(1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
(2) ºÐ·ù¿Í ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
(1) ½ÃÀå Ư¼º
(2) ±â¼ú°³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
1-3. ÀÚµ¿Â÷¿ë ¹ÝµµÃ¼
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
(1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
(2) ºÐ·ù ¹× ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
(1) »ê¾÷ Ư¼º
(2) ±â¼ú °³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
5) ÀÚÀ²Â÷ ¿µ»ó ºÐ¼®¿ë SoC
(1) Embedded Vision System°ú SoC Çʿ伺
(2) ¿µ»óó¸® ¾Ë°í¸®Áò °³¿ä
(3) ÀÚµ¿Â÷ ºñÀü¿ë SoC °³¹ß ÇöȲ

2. ¹ÝµµÃ¼ ÇÙ½É ºÎÇ°¼ÒÀç ½ÃÀ嵿Çâ°ú Àü¸Á
2-1. Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ®
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
(1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
(2) ºÐ·ù¿Í ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
(1) ½ÃÀå Ư¼º
(2) ±â¼ú°³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
2-2. ALD Àü±¸Ã¼
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
(1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
(2) ºÐ·ù¿Í ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
(1) ½ÃÀå Ư¡
(2) ±â¼ú°³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
2-3. ¿¬¸¶Àç(CMP ½½·¯¸®)
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
(1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
(2) ºÐ·ù ¹× ¹üÀ§
2) ½ÃÀå Ư¼º
(1) ½ÃÀå Ư¡
(2) ±â¼ú°³¹ß Æ®·»µå
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷º° µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á
2-4. TSV¿ë ÆÐŰ¡ ¼ÒÀç
1) °³³ä°ú Á¤ÀÇ
(1) Á¤ÀÇ ¹× °³¿ä
(2) ºÐ·ù ¹× ¹üÀ§
(3) TSV ±â¼ú¿¡ µû¸¥ 3D IC ÁýÀûÀÇ °³¿ä
2) ½ÃÀå Ư¼º
(1) ½ÃÀå Ư¡
(2) ±â¼ú°³¹ß ¹æÇâ
3) ÁÖ¿ä ±â¾÷ µ¿Çâ
4) ½ÃÀå µ¿Çâ°ú Àü¸Á

3. ±¹³» ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ À°¼º Á¤Ã¥µ¿Çâ
3-1. ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ »ê¾÷ °æÀï·Â °­È­ ¹æ¾È
1) °³¿ä
2) ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ »ê¾÷ °æÀï·Â °­È­ ¹æ¾È
(1) ±âº» ¹æÇâ
(2) ¼¼ºÎ ÃßÁø ¹æ¾È
(3) ÃßÁøÀÏÁ¤ ¹× ÇâÈÄ°èȹ
3-2. ½º¸¶Æ®¼¾¼­ »ê¾÷ À°¼º Á¤Ã¥ µ¿Çâ
1) ¼¾¼­»ê¾÷ ¹ßÀüÀü·«
(1) °³¿ä
(2) ¼¾¼­»ê¾÷ ¹ßÀüÀü·« ºñÀü ¹× ¸ñÇ¥
(3) ¼¼ºÎ ÃßÁø°úÁ¦
(4) ±â´ëÈ¿°ú
(5) ¼¼ºÎ ÃßÁøÀÏÁ¤(¾È)
(6) ¿¬Â÷º° ¼Ò¿ä Àç¿ø(¾È)
2) ÷´Ü½º¸¶Æ®¼¾¼­ À°¼º »ç¾÷
(1) °³¿ä
(2) ¹Ì·¡¼ºÀ嵿·Â »ê¾÷¿£Áø °³¹ßÀü·«°ú ¼¾¼­ À°¼ºÀü·«
3-3ÁøÃâÀ» À§ÇÑ R&BD Ç÷§Æû ±¸Ãà
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
13) IoT¿ë ÀúÀü·Â ÀÎÅÍÆäÀ̽º ÅëÇÕÇü Àü·Â°ü¸® SoC °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
14) ÄÜÆ®·Ñ·¯ SoC°¡ ³»ÀåµÈ ¸Þ¸ð¸® ÀÀ¿ë ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
15£©µðÁöÅÐ °íÀ½Áú ANC(Adaptive Noise Cancellation) SoC °³¹ß ¹× ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
16) ÀúÀü·Â °í°¨µµ ÅÍÄ¡ ÄÜÆ®·Ñ·¯ ¹× ½Ã½ºÅÛ °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
17) ¹«¼±Àü·Â¼Û½Å SoC ¹× ½Ã½ºÅÛ ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
18) FPV¿ë Full HD±Þ ¸¶ÀÌÅ©·Î µð½ºÇ÷¹ÀÌ Ä¨¼Â ¹× ¸ðµâ °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
19) 3»ó BLDC/PMSM motorÇâ IPM(Intelligent Power Module) °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
20) ¸ð¹ÙÀÏ ±â±â¿ë Áö¹®ÀÎ½Ä ¼¾¼­ °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
21) IoT ¹× ¸ð¹ÙÀÏ ±â±â º¸¾ÈÀ» À§ÇÑ Crypto SoC °³¹ß
- (1) °³³ä
- (2) Áö¿ø Çʿ伺
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3-2. 2018³â »ê¾÷Çٽɱâ¼ú°³¹ß(È帰úÁ¦)
1) ±¤ÀüÁýÀû ±â¼úÀ» È°¿ëÇÑ µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ¿ë ÃÊ°í¼Ó ÀúÀü·Â ¼Û¼ö½Å ¹ÝµµÃ¼ ºÎÇ° °³¹ß
- (1) °³¹ß ³»¿ë
- (2) È°¿ëºÐ¾ß
- (3) °³¹ß±â°£
- (4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
2) ISO26262 ´ëÀÀ Inductive ¹æ½Ä ±ÙÁ¢ ¼¾¼­ SoC °³¹ß
- (1) °³¹ß ³»¿ë
- (2) È°¿ëºÐ¾ß
- (3) °³¹ß±â°£
- (4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
3) Bulk ½Ç¸®ÄÜ ±âÆÇ¿¡ Á¦ÀÛ °¡´ÉÇÑ Fin ±¸Á¶ ±â¹Ý 1T-DRAM ±¸Á¶ ¼³°è ¹× ÇÙ½É ±â¼ú °³¹ß
- (1) °³¹ß ³»¿ë
- (2) È°¿ëºÐ¾ß
- (3) °³¹ß±â°£
- (4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
4) ÷´Ü ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Á¦Á¶°øÁ¤ ½Ã½ºÅÛÀ» À§ÇÑ °øÁ¤°èÃø À¶º¹ÇÕ(Integrated Methodology) Àå ÇÙ½É ÃøÁ¤ ¸ðµâ °³¹ß
- (1) °³¹ß ³»¿ë
- (2) È°¿ëºÐ¾ß
- (3) °³¹ß±â°£
- (4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
5) 10nm ÀÌÇÏ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Á¦Á¶¸¦ À§ÇÑ Ã·´Ü À§»ó¹ÝÀü ºí·©Å© ¸¶½ºÅ© °³¹ß
- (1) °³¹ß ³»¿ë
- (2) È°¿ëºÐ¾ß
- (3) °³¹ß±â°£
- (4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
3-3. 2017³â »ê¾÷Çٽɱâ¼ú°³¹ß»ç¾÷(È帰úÁ¦ Æ÷ÇÔ)
1) È¿À²ÀûÀÎ ºòµ¥ÀÌÅÍ Ã³¸®¸¦ À§ÇÑ ¼­¹ö¿ë ±â°èÇнÀ °¡¼Ó ½ºÄÉÀÏ·¯ºí Çϵå¿þ¾î ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
2) ½º¸¶Æ® ¸ð¹ÙÀÏ ¹× IoT µð¹ÙÀ̽º¸¦ À§ÇÑ ´º·²¼¿(Spiking Neural Cell) ±â¹Ý SoC ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3) ÀúÀü·Â, °í¼º´É ºòµ¥ÀÌÅÍ ¼­¹ö¿ë ÇÁ·Î¼¼¼­-¸Þ¸ð¸®-½ºÅ丮Áö ÅëÇÕ SoC ±¸Á¶ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
4) ±¤ÀüÁýÀû ±â¼úÀ» È°¿ëÇÑ µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ¿ë ÃÊ°í¼Ó, ÀúÀü·Â ¼Û¼ö½Å ºÎÇ° ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
5) ½Ç¸®ÄÜÆ÷Åä´Ð½º ±â¼úÀ» È°¿ëÇÑ ÃÊ°íÇØ»óµµ µð½ºÇ÷¹ÀÌ¿ë ÃÊ°í¼Ó, ÀúÀü·Â ÀÎÅÍÆäÀ̽º ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
6) ´ÙÀ̳ª¹Í È®»ê±â¼ú ±â¹Ý ISM´ë¿ª »ê¾÷¿ë °í¼Ó¤ýÀå°Å¸® ¹«¼±Åë½Å SoC °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹
. Áö´ÉÇü ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß ¹Ì·¡ ¼ºÀ嵿·Â Á¾ÇÕ ½Çõ°èȹ°ú Àü·«
1) °³³ä ¹× Á¤ÀÇ
(1) °³³ä
(2) ¹üÀ§
(3) ÁÖ¿ä ÇÙ½É ±â¼úº° Á¤ÀÇ
(4) 2020³â ÇÙ½É Á¦Ç° À¯Çü
2) Á¾Çպм® ¹× ÃßÁøÀü·«
(1) Á¾Çպм®
(2) ÃßÁøÀü·«
3) ¸ñÇ¥ ¹× ´Ü°èº° ÃßÁøÀü·«
4) Àü·«º° ¼¼ºÎ ÃßÁø³»¿ë
(1) Áö´ÉÇü¹ÝµµÃ¼ µµ¾à ±â¹Ý ±¸Ãà
(2) Â÷¼¼´ë Á¦Ç°°³¹ß Ç÷§Æû ±¸Ãà
(3) ¹Ì·¡½ÃÀå ÁÖµµÇü »ê¾÷¹ßÀü ±â¹Ý±¸Ãà

¥². Áö´ÉÇü ¹ÝµµÃ¼ ƯÇã µ¿Çâ°ú ¿¬±¸°úÁ¦ ÇöȲ

1. ÁÖ¿ä ¹ÝµµÃ¼(¼ÒÀÚ, ºÎÇ°¤ý¼ÒÀç, Á¦Á¶±â¼ú)»ê¾÷ ƯÇã µ¿Çâ
1-1. ¸Þ¸ð¸® ¹ÝµµÃ¼ ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿ø µ¿Çâ
2) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-2. ÀΰøÁö´É(AI) ¹ÝµµÃ¼ ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) Ãâ¿øÀκ° ƯÇã µ¿Çâ
3) ¼¼ºÎ ±â¼úº° ƯÇã µ¿Çâ
1-3. Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ƯÇ㵿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿ø µ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3) ÇÙ½É ±â¼úº° µ¿Çâ
4) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-4. ÀÚµ¿Â÷¿ë ¹ÝµµÃ¼ ƯÇ㵿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿ø µ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3) ÇÙ½É ±â¼úº° µ¿Çâ
4) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-5. źȭ±Ô¼Ò(SiC) ¹ÝµµÃ¼ ƯÇ㵿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3) ±â¼úº° ƯÇã ÇöȲ
1-6. Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ® ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿øµ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3) ÇÙ½É ±â¼úº° µ¿Çâ
4) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-7. ALD Àü±¸Ã¼ ƯÇ㵿Çâ
1) ¿¬µµº° Ãâ¿øµ¿Çâ
2) ±¹°¡º° Ãâ¿ø ÇöȲ
3) ÇÙ½É ±â¼úº° µ¿Çâ
4) ÁÖ¿ä Ãâ¿øÀκ° µ¿Çâ
1-8. ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶±â¼ú ºÐ¾ß ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) Ãâ¿øÀκ° ƯÇã µ¿Çâ
3) Á¦Á¶±â¼úº° ƯÇã µ¿Çâ
1-9. ¹ÝµµÃ¼ ÆÐŰ¡ºÐ¾ß ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) Ãâ¿øÀκ° Ãâ¿ø µ¿Çâ
1-10. ¹ÝµµÃ¼ Á¦Á¶, ³ë±¤±â¼ú ƯÇã µ¿Çâ
1) ¿¬µµº° ƯÇã µ¿Çâ
2) Ãâ¿øÀκ° ƯÇã µ¿Çâ

2. ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
2-1. ¹Ì·¡¼ºÀ嵿·Â»ç¾÷(Áö´ÉÇü¹ÝµµÃ¼) ÃßÁø ·Îµå¸Ê
1) ÃßÁø ·Îµå¸Ê(2020)
2) ÃßÁø°úÁ¦º° ÀÏÁ¤°ú ¼Ò¿ä¿¹»ê
2-2. Áß¼Ò Áß°ß±â¾÷¿ë ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú °³¹ß ·Îµå¸Ê
1) Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
(1) À¯¸Á Çٽɱâ¼ú ºÐ¾ß ¼±Á¤
(2) Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ±â¼ú·Îµå¸Ê(2017-2019)
(3) Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß ¿¬±¸°³¹ß ¸ñÇ¥ ¼³Á¤
2) ÀÚµ¿Â÷¿ë ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
(1) À¯¸Á Çٽɱâ¼ú ºÐ¾ß ¼±Á¤
(2) ÀÚµ¿Â÷ SoC ºÎÇ° ±â¼ú·Îµå¸Ê(2017-2019)
(3) ÀÚµ¿Â÷ SoC ºÎÇ° ºÐ¾ß ¿¬±¸°³¹ß ¸ñÇ¥ ¼³Á¤
3) Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ® ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
(1) À¯¸Á Çٽɱâ¼ú ºÐ¾ß ¼±Á¤
(2) Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ® ±â¼ú·Îµå¸Ê(2017-2019)
(3) Æ÷Åä·¹Áö½ºÆ® ºÐ¾ß ¿¬±¸°³¹ß ¸ñÇ¥ ¼³Á¤
4) ALD Àü±¸Ã¼ ±â¼ú°³¹ß ·Îµå¸Ê
(1) À¯¸Á Çٽɱâ¼ú ºÐ¾ß ¼±Á¤
(2) ALD Àü±¸Ã¼ ±â¼ú·Îµå¸Ê(2017-2019)
(3) ALD Àü±¸Ã¼ ºÐ¾ß ¿¬±¸°³¹ß ¸ñÇ¥ ¼³Á¤

3. Áö´ÉÇü ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú°³¹ß Àü·«°ú ¿¬±¸°úÁ¦
3-1. ¹Ì·¡¼ºÀ嵿·Â»ç¾÷ Áö¿ø °úÁ¦(2017³â 1, 2Â÷)
1) (ÃÑ°ý°úÁ¦)Àü±âÀÚµ¿Â÷ ¹× ½ÅÀç»ý¿¡³ÊÁö¿ë SiC ÆÄ¿ö¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ °æÀï·Â °­È­¸¦ À§ÇÑ SiC MOS ¼ÒÀÚ ±â¼ú °³¹ß ¹× ÀÏ°ý °øÁ¤ ±¸Ãà
(1) Çʿ伺
»ê/ÃßÁøü°è
7) ¹«ÀÎÀ̵¿Ã¼¿ë UHD±Þ ÃÊÀúÁö¿¬ ¿µ»óó¸® SoC °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
8) ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷Ç⠹̷¡¹ÝµµÃ¼ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
9) (¼¼ºÎ°úÁ¦) ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷Ç⠹̷¡¹ÝµµÃ¼ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (2) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
10) ¹Ì·¡ ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ »ê¾÷ ±â¹Ý Á¶¼ºÀ» À§ÇÑ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
11) (¼¼ºÎ°úÁ¦) ¹Ì·¡ ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ »ê¾÷ ±â¹Ý Á¶¼ºÀ» À§ÇÑ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (2) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
12) ±¤ÀüÁýÀû ±â¼úÀ» È°¿ëÇÑ µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ¿ë ÃÊ°í¼Ó, ÀúÀü·Â ¼Û¼ö½Å ºÎÇ° ¿øõ±â¼ú °³¹ß
- (1) Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
13) ÀÇ·á±â±â ¹× ÇコÄÉ¾î µð¹ÙÀ̽º¿ë À¶º¹ÇÕ °æ·® SW-SoC ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
- (1) °³³ä ¹× Áö¿ø Çʿ伺
- (2) °³¹ß³»¿ë
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
14) VR/AR¿ë 2000PPI ÀÌ»ó °íÇØ»óµµ ¸¶ÀÌÅ©·Î µð½ºÇ÷¹ÀÌ SoC °³¹ß
- (1) °³³ä ¹× Áö¿ø Çʿ伺
- (2) °³¹ß³»¿ë
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3-4. 2017 ºÎÇ°¼ÒÀç±â¼ú°³¹ß»ç¾÷(Àü·«Àû/¼ö¿ä¿¬°èÇü)-2016-12/29
1) 10nm ÀÌÇÏ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¿ë CMP ¼ÒÀç(½½·¯¸®, ¼¼Á¤¾×, Æеå) °³¹ß
- (1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
2) 5G¿ë Åë½Å´ëÀÀÀ» À§ÇÑ Àú¼Õ½Ç À¯Àüü ¼ÒÀç ¹× Åë½Å ¸ðµâ °³¹ß
- (1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3) Fan-out ÆÐÅ°Áö¿ë º»µù/µðº»µù ¼ÒÀç ¹× Àåºñ °³¹ß
- (1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
4) ½Ç½Ã°£ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ »óÅÂÁø´ÜÀ» À§ÇÑ ¿þÀÌÆÛÇü °øÁ¤Áø´Ü ¼¾¼­ ½Ã½ºÅÛ °³¹ß
- (1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
5) Àü±âÀÚµ¿Â÷¿ë SiC ±â¹Ý MOSFET Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¹× 1200V-200A±Þ Full SiC Àü·Â ¸ðµâ °³¹ß
- (1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
6) ½º¸¶Æ® ÀÚµ¿Â÷¿ë °¨Áö¹üÀ§ Çâ»óÀ» À§ÇÑ ¾ÐÀü¼ÒÀç ¹× ÀÚ±âÀÎ½Ä ÃÊÀ½ÆÄ ¼¾¼­ °³¹ß
- (1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
7) ½º¸¶Æ® ¹× ¿þ¾î·¯ºí ±â±â¿ë À¯¿¬ ±¤¼¾¼­ º¹ÇÕ¸ðµâ °³¹ß
- (1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
8) ½º¸¶Æ®Æù¿ë WLP±â¹Ý (6ÀÎÄ¡ ÀÌ»ó) BAW ÇÊÅÍ ¸ðµâ°³¹ß
- (1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
- (2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
- (3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è

¥³. ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ °ü·Ã ÁÖ¿ä Åë°è

1. Global semiconductor market
1) Semiconductor sales revenue worldwide
2) Global semiconductor industry revenue growth rate
3) Monthly semiconductor sales worldwide
4) Forecast capital spending in the global semiconductor industry
5) Forecast capital spending growth rate in the semiconductor industry
6) Compound annual growth rate of the main semiconductor target markets
7) Technology companies ranked by expenditure on semiconductors

2. Regional markets
1) Semiconductor consumption market share worldwide
2) Semiconductor market in the Americas
3) Semiconductor industry revenue in the Asia Pacific region
4) Semiconductor industry revenue in Japan
5) Semiconductor industry revenue in Europe
6) Monthly semiconductor sales in the Americas
7) Monthly semiconductor sales in Europe
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
2) (1¼¼ºÎ°úÁ¦) Àü±âÀÚµ¿Â÷ ¹× ½ÅÀç»ý¿¡³ÊÁö¿ë 1200V±Þ TrenchÇü SiC MOSFET ¼ÒÀÚ °³¹ß
(1) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(2) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3) (2¼¼ºÎ°úÁ¦) Àü±âÀÚµ¿Â÷ ¹× ½ÅÀç»ý¿¡³ÊÁö¿ë 1200V±Þ Trench¿ë SiC ¸ðµâ °³¹ß
(1) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(2) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
4) 650V/50A±Þ ÀúÀúÇ× Super Junction ÆÄ¿ö MOSFET °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
5) 1200V±Þ °íÈ¿À² Super Junction Trench Si IGBT ±â¼ú °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
6) 100V/600A±Þ MOSFET ¸ðµâ °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
7) »ê¾÷¿ë 650V±Þ MOSFET ¸ðµâ °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
8) IoT µð¹ÙÀ̽º¿ë °íÈ¿À² Advanced Energy Hub ½Ã½ºÅÛ ±â¼ú °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
9) ÀÚµ¿Â÷ AVM(Around View Monitor)¿ë Full HD CMOS À̹ÌÁö ¼¾¼­ °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
10) Water-proofÇü ¸ÖƼä³Î ÅÍÄ¡ µð½ºÇ÷¹ÀÌ ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
11) ¸ð¹ÙÀÏ Ä«¸Þ¶ó¿ë ±¤ÇÐ½Ä ¼Õ¶³¸² º¸Á¤ ¹× AF ±¸µ¿ SoC °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
12) ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ ±Û·Î¹ú ½ÃÀå ÁøÃâÀ» À§ÇÑ R&BD Ç÷§Æû ±¸Ãà
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
13) IoT¿ë ÀúÀü·Â ÀÎÅÍÆäÀ̽º ÅëÇÕÇü Àü·Â°ü¸® SoC °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
14) ÄÜÆ®·Ñ·¯ SoC°¡ ³»ÀåµÈ ¸Þ¸ð¸® ÀÀ¿ë ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
15£©µðÁöÅÐ °íÀ½Áú ANC(Adaptive Noise Cancellation) SoC °³¹ß ¹× ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
16) ÀúÀü·Â °í°¨µµ ÅÍÄ¡ ÄÜÆ®·Ñ·¯ ¹× ½Ã½ºÅÛ °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
17) ¹«¼±Àü·Â¼Û½Å SoC ¹× ½Ã½ºÅÛ ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
18) FPV¿ë Full HD±Þ ¸¶ÀÌÅ©·Î µð½ºÇ÷¹ÀÌ Ä¨¼Â ¹× ¸ðµâ °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
19) 3»ó BLDC/PMSM motorÇâ IPM(Intelligent Power Module) °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
20) ¸ð¹ÙÀÏ ±â±â¿ë Áö¹®ÀÎ½Ä ¼¾¼­ °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
R> 8) Monthly semiconductor sales in the Asia Pacific region
9) Monthly semiconductor sales in Japan

3. Segment markets
1) Semiconductor industry billings worldwide, by application
2) Semiconductor industry billings worldwide, by component
3) Automotive semiconductor suppliers revenue worldwide
4) Discrete power semiconductors and modules market share worldwide, by vendor
5) Share of the standard power metal-oxide-semiconductor field-effect transisto(MOSF market worldwide, by manufacturer
6) Share of the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) based power emiconductor mar share worldwide, by vendor

4. Semiconductor vendors
1) Global semiconductor industry revenue, by vendor
2) Global revenue of the leading semiconductor suppliers
3) Market share held by semiconductor vendors worldwide
4) Leading semiconductor vendors' research and development(R&D) expenditure
5) Leading suppliers of microcontroller units(MCUs)

5. Integrated circuits
1) Semiconductor integrated circuit(IC) wafer capacity worldwide
2) Semiconductor integrated circuit wafer installed capacity year-over-year change worldwide
3) Distribution of pure-play integrated circuit foundry sales, by feature size
4) Fabless/system company and integrated device manufacturer(IDM) IC sales worldwide
5) Market share of analog integrated circuit(IC) sales worldwide
6) Integrated circuits(IC) end-use market revenues worldwide, by market segment

6. Equipment
1) New semiconductor equipment spending worldwide
2) Forecast capital spending in the global semiconductor industry
3) Forecast capital spending growth rate in the semiconductor industry worldwide
4) Wafer fab equipment spending, including wafer-level packaging, worldwide
5) Wafer-level packaging and assembly equipment spending for semiconductor industry worldwide
6) Revenue from shipments of wafer-level semiconductor manufacturing equipment
7) Share of revenue from shipments of wafer-level semiconductor manufacturing equipment
21) IoT ¹× ¸ð¹ÙÀÏ ±â±â º¸¾ÈÀ» À§ÇÑ Crypto SoC °³¹ß
(1) °³³ä
(2) Áö¿ø Çʿ伺
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3-2. 2018³â »ê¾÷Çٽɱâ¼ú°³¹ß(È帰úÁ¦)
1) ±¤ÀüÁýÀû ±â¼úÀ» È°¿ëÇÑ µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ¿ë ÃÊ°í¼Ó ÀúÀü·Â ¼Û¼ö½Å ¹ÝµµÃ¼ ºÎÇ° °³¹ß
(1) °³¹ß ³»¿ë
(2) È°¿ëºÐ¾ß
(3) °³¹ß±â°£
(4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
2) ISO26262 ´ëÀÀ Inductive ¹æ½Ä ±ÙÁ¢ ¼¾¼­ SoC °³¹ß
(1) °³¹ß ³»¿ë
(2) È°¿ëºÐ¾ß
(3) °³¹ß±â°£
(4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
3) Bulk ½Ç¸®ÄÜ ±âÆÇ¿¡ Á¦ÀÛ °¡´ÉÇÑ Fin ±¸Á¶ ±â¹Ý 1T-DRAM ±¸Á¶ ¼³°è ¹× ÇÙ½É ±â¼ú °³¹ß
(1) °³¹ß ³»¿ë
(2) È°¿ëºÐ¾ß
(3) °³¹ß±â°£
(4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
4) ÷´Ü ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Á¦Á¶°øÁ¤ ½Ã½ºÅÛÀ» À§ÇÑ °øÁ¤°èÃø À¶º¹ÇÕ(Integrated Methodology) Àå ÇÙ½É ÃøÁ¤ ¸ðµâ °³¹ß
(1) °³¹ß ³»¿ë
(2) È°¿ëºÐ¾ß
(3) °³¹ß±â°£
(4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
5) 10nm ÀÌÇÏ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Á¦Á¶¸¦ À§ÇÑ Ã·´Ü À§»ó¹ÝÀü ºí·©Å© ¸¶½ºÅ© °³¹ß
(1) °³¹ß ³»¿ë
(2) È°¿ëºÐ¾ß
(3) °³¹ß±â°£
(4) ÃÑ Á¤ºÎÃ⿬±Ý
3-3. 2017³â »ê¾÷Çٽɱâ¼ú°³¹ß»ç¾÷(È帰úÁ¦ Æ÷ÇÔ)
1) È¿À²ÀûÀÎ ºòµ¥ÀÌÅÍ Ã³¸®¸¦ À§ÇÑ ¼­¹ö¿ë ±â°èÇнÀ °¡¼Ó ½ºÄÉÀÏ·¯ºí Çϵå¿þ¾î ¿øõ±â¼ú °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
2) ½º¸¶Æ® ¸ð¹ÙÀÏ ¹× IoT µð¹ÙÀ̽º¸¦ À§ÇÑ ´º·²¼¿(Spiking Neural Cell) ±â¹Ý SoC ¿øõ±â¼ú °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3) ÀúÀü·Â, °í¼º´É ºòµ¥ÀÌÅÍ ¼­¹ö¿ë ÇÁ·Î¼¼¼­-¸Þ¸ð¸®-½ºÅ丮Áö ÅëÇÕ SoC ±¸Á¶ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
4) ±¤ÀüÁýÀû ±â¼úÀ» È°¿ëÇÑ µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ¿ë ÃÊ°í¼Ó, ÀúÀü·Â ¼Û¼ö½Å ºÎÇ° ¿øõ±â¼ú °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
5) ½Ç¸®ÄÜÆ÷Åä´Ð½º ±â¼úÀ» È°¿ëÇÑ ÃÊ°íÇØ»óµµ µð½ºÇ÷¹ÀÌ¿ë ÃÊ°í¼Ó, ÀúÀü·Â ÀÎÅÍÆäÀ̽º ¿øõ±â¼ú °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
6) ´ÙÀ̳ª¹Í È®»ê±â¼ú ±â¹Ý ISM´ë¿ª »ê¾÷¿ë °í¼Ó¤ýÀå°Å¸® ¹«¼±Åë½Å SoC °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
7) ¹«ÀÎÀ̵¿Ã¼¿ë UHD±Þ ÃÊÀúÁö¿¬ ¿µ»óó¸® SoC °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
8) ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷Ç⠹̷¡¹ÝµµÃ¼ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
(1) Çʿ伺
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9) (¼¼ºÎ°úÁ¦) ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷Ç⠹̷¡¹ÝµµÃ¼ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
(1) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(2) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
10) ¹Ì·¡ ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ »ê¾÷ ±â¹Ý Á¶¼ºÀ» À§ÇÑ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
11) (¼¼ºÎ°úÁ¦) ¹Ì·¡ ½Ã½ºÅ۹ݵµÃ¼ »ê¾÷ ±â¹Ý Á¶¼ºÀ» À§ÇÑ ¿øõ±â¼ú °³¹ß
(1) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(2) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
12) ±¤ÀüÁýÀû ±â¼úÀ» È°¿ëÇÑ µ¥ÀÌÅͼ¾ÅÍ¿ë ÃÊ°í¼Ó, ÀúÀü·Â ¼Û¼ö½Å ºÎÇ° ¿øõ±â¼ú °³
¹ß
(1) Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
13) ÀÇ·á±â±â ¹× ÇコÄÉ¾î µð¹ÙÀ̽º¿ë À¶º¹ÇÕ °æ·® SW-SoC ¼Ö·ç¼Ç °³¹ß
(1) °³³ä ¹× Áö¿ø Çʿ伺
(2) °³¹ß³»¿ë
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
14) VR/AR¿ë 2000PPI ÀÌ»ó °íÇØ»óµµ ¸¶ÀÌÅ©·Î µð½ºÇ÷¹ÀÌ SoC °³¹ß
(1) °³³ä ¹× Áö¿ø Çʿ伺
(2) °³¹ß³»¿ë
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3-4. 2017 ºÎÇ°¼ÒÀç±â¼ú°³¹ß»ç¾÷(Àü·«Àû/¼ö¿ä¿¬°èÇü)-2016-12/29
1) 10nm ÀÌÇÏ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ¿ë CMP ¼ÒÀç(½½·¯¸®, ¼¼Á¤¾×, Æеå) °³¹ß
(1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
2) 5G¿ë Åë½Å´ëÀÀÀ» À§ÇÑ Àú¼Õ½Ç À¯Àüü ¼ÒÀç ¹× Åë½Å ¸ðµâ °³¹ß
(1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
3) Fan-out ÆÐÅ°Áö¿ë º»µù/µðº»µù ¼ÒÀç ¹× Àåºñ °³¹ß
(1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
4) ½Ç½Ã°£ ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤ »óÅÂÁø´ÜÀ» À§ÇÑ ¿þÀÌÆÛÇü °øÁ¤Áø´Ü ¼¾¼­ ½Ã½ºÅÛ °³¹ß
(1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
5) Àü±âÀÚµ¿Â÷¿ë SiC ±â¹Ý MOSFET Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¹× 1200V-200A±Þ Full SiC Àü·Â ¸ðµâ °³¹ß
(1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
6) ½º¸¶Æ® ÀÚµ¿Â÷¿ë °¨Áö¹üÀ§ Çâ»óÀ» À§ÇÑ ¾ÐÀü¼ÒÀç ¹× ÀÚ±âÀÎ½Ä ÃÊÀ½ÆÄ ¼¾¼­ °³¹ß
(1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
7) ½º¸¶Æ® ¹× ¿þ¾î·¯ºí ±â±â¿ë À¯¿¬ ±¤¼¾¼­ º¹ÇÕ¸ðµâ °³¹ß
(1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è
8) ½º¸¶Æ®Æù¿ë WLP±â¹Ý (6ÀÎÄ¡ ÀÌ»ó) BAW ÇÊÅÍ ¸ðµâ°³¹ß
(1) °³¿ä ¹× Çʿ伺
(2) ¿¬±¸¸ñÇ¥
(3) Áö¿ø±â°£/¿¹»ê/ÃßÁøü°è

¥³. ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ °ü·Ã ÁÖ¿ä Åë°è

1. Global semiconductor market
1) Semiconductor sales revenue worldwide
2) Global semiconductor industry revenue growth rate
3) Monthly semiconductor sales worldwide
4) Forecast capital spending in the global semiconductor industry
5) Forecast capital spending growth rate in the semiconductor industry
6) Compound annual growth rate of the main semiconductor target markets
7) Technology companies ranked by expenditure on semiconductors

2. Regional markets
1) Semiconductor consumption market share worldwide
2) Semiconductor market in the Americas
3) Semiconductor industry revenue in the Asia Pacific region
4) Semiconductor industry revenue in Japan
5) Semiconductor industry revenue in Europe

6) Monthly semiconductor sales in the Americas
7) Monthly semiconductor sales in Europe
8) Monthly semiconductor sales in the Asia Pacific region
9) Monthly semiconductor sales in Japan

3. Segment markets
1) Semiconductor industry billings worldwide, by application
2) Semiconductor industry billings worldwide, by component
3) Automotive semiconductor suppliers revenue worldwide
4) Discrete power semiconductors and modules market share worldwide, by vendor
5) Share of the standard power metal-oxide-semiconductor field-effect transisto(MOSF market worldwide, by manufacturer
6) Share of the insulated-gate bipolar transistor (IGBT) based power emiconductor mar share worldwide, by vendor

4. Semiconductor vendors
1) Global semiconductor industry revenue, by vendor
2) Global revenue of the leading semiconductor suppliers
3) Market share held by semiconductor vendors worldwide
4) Leading semiconductor vendors' research and development(R&D) expenditure
5) Leading suppliers of microcontroller units(MCUs)

5. Integrated circuits
1) Semiconductor integrated circuit(IC) wafer capacity worldwide
2) Semiconductor integrated circuit wafer installed capacity year-over-year change worldwide
3) Distribution of pure-play integrated circuit foundry sales, by feature size
4) Fabless/system company and integrated device manufacturer(IDM) IC sales worldwide
5) Market share of analog integrated circuit(IC) sales worldwide
6) Integrated circuits(IC) end-use market revenues worldwide, by market segment

6. Equipment
1) New semiconductor equipment spending worldwide
2) Forecast capital spending in the global semiconductor industry
3) Forecast capital spending growth rate in the semiconductor industry worldwide
4) Wafer fab equipment spending, including wafer-level packaging, worldwide
5) Wafer-level packaging and assembly equipment spending for semiconduct
or industry worldwide
6) Revenue from shipments of wafer-level semiconductor manufacturing equipment
7) Share of revenue from shipments of wafer-level semiconductor manufacturing equipment

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    ·½Ã°£ÀÇ °æ°ú¿¡ ÀÇÇØ ÀçÆǸŰ¡ °ï¶õÇÑ Á¤µµ·Î °¡Ä¡°¡ ÇöÀúÈ÷ °¨¼ÒÇÑ °æ¿ì

    ·ÀüÀÚ»ó°Å·¡ µî¿¡¼­ÀÇ ¼ÒºñÀÚº¸È£¿¡ °üÇÑ ¹ý·üÀÌ Á¤ÇÏ´Â ¼ÒºñÀÚ Ã»¾àöȸ Á¦ÇÑ ³»¿ë¿¡ ÇØ´çµÇ´Â °æ¿ì

    »óÇ° Ç°Àý

    °ø±Þ»ç(ÃâÆÇ»ç) Àç°í »çÁ¤¿¡ ÀÇÇØ Ç°Àý/Áö¿¬µÉ ¼ö ÀÖÀ½

    ¼ÒºñÀÚ ÇÇÇغ¸»ó
    ȯºÒÁö¿¬¿¡ µû¸¥ ¹è»ó

    ·»óÇ°ÀÇ ºÒ·®¿¡ ÀÇÇÑ ±³È¯, A/S, ȯºÒ, Ç°Áúº¸Áõ ¹× ÇÇÇغ¸»ó µî¿¡ °üÇÑ »çÇ×Àº ¼ÒºñÀÚºÐÀïÇØ°á ±âÁØ (°øÁ¤°Å·¡À§¿øȸ °í½Ã)¿¡ ÁØÇÏ¿© 󸮵Ê

    ·´ë±Ý ȯºÒ ¹× ȯºÒÁö¿¬¿¡ µû¸¥ ¹è»ó±Ý Áö±Þ Á¶°Ç, ÀýÂ÷ µîÀº ÀüÀÚ»ó°Å·¡ µî¿¡¼­ÀÇ ¼ÒºñÀÚ º¸È£¿¡ °üÇÑ ¹ý·ü¿¡ µû¶ó ó¸®ÇÔ

    (ÁÖ)KGÀ̴Ͻýº ±¸¸Å¾ÈÀü¼­ºñ½º¼­ºñ½º °¡ÀÔ»ç½Ç È®ÀÎ

    (ÁÖ)ÀÎÅÍÆÄÅ©Ä¿¸Ó½º´Â ȸ¿ø´ÔµéÀÇ ¾ÈÀü°Å·¡¸¦ À§ÇØ ±¸¸Å±Ý¾×, °áÁ¦¼ö´Ü¿¡ »ó°ü¾øÀÌ (ÁÖ)ÀÎÅÍÆÄÅ©Ä¿¸Ó½º¸¦ ÅëÇÑ ¸ðµç °Å·¡¿¡ ´ëÇÏ¿©
    (ÁÖ)KGÀ̴Ͻýº°¡ Á¦°øÇÏ´Â ±¸¸Å¾ÈÀü¼­ºñ½º¸¦ Àû¿ëÇÏ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.

    ¹è¼Û¾È³»

    • ±³º¸¹®°í »óÇ°Àº Åùè·Î ¹è¼ÛµÇ¸ç, Ãâ°í¿Ï·á 1~2Àϳ» »óÇ°À» ¹Þ¾Æ º¸½Ç ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

    • Ãâ°í°¡´É ½Ã°£ÀÌ ¼­·Î ´Ù¸¥ »óÇ°À» ÇÔ²² ÁÖ¹®ÇÒ °æ¿ì Ãâ°í°¡´É ½Ã°£ÀÌ °¡Àå ±ä »óÇ°À» ±âÁØÀ¸·Î ¹è¼ÛµË´Ï´Ù.

    • ±ººÎ´ë, ±³µµ¼Ò µî ƯÁ¤±â°üÀº ¿ìü±¹ Åù踸 ¹è¼Û°¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.

    • ¹è¼Ûºñ´Â ¾÷ü ¹è¼Ûºñ Á¤Ã¥¿¡ µû¸¨´Ï´Ù.

    • - µµ¼­ ±¸¸Å ½Ã 15,000¿ø ÀÌ»ó ¹«·á¹è¼Û, 15,000¿ø ¹Ì¸¸ 2,500¿ø - »óÇ°º° ¹è¼Ûºñ°¡ ÀÖ´Â °æ¿ì, »óÇ°º° ¹è¼Ûºñ Á¤Ã¥ Àû¿ë