제1장 반도체 1. 반도체(Semiconductor)란? 1.1 에너지 밴드 1.2 실리콘 결정 1.3 실리콘 웨이퍼 1.4 반도체 제작 과정의 변천 1.5 반도체 제작을 위한 단위공정 제2장 포토리소그래피 2. 포토리소그래피(Photolithography) 2.1 개요 2.2 포토레지스트 2.3 포토마스크와 노광 시스템 2.4 광원 2.5 기타 포토리소그래피 기술 2.6 포토리소그래피 공정상 문제점 제3장 에칭 3. 에칭(Etching) 3.1 개요 3.2 습식 에칭 3.3 건식 에칭 3.4 습식에칭과 건식에칭의 비교 3.5 고체의 결정 면과 에칭의 방향성 제4장 CMP 4. CMP(Chemical Mechanical Polishing) 4.1 개요 4.2 CMP 슬러리(slurry)와 반응 메카니즘 4.3 연마 패드(polishing pad) 4.4 CMP 공정의 이슈 4.5 CMP가 적용되는 공정의 예 제5장 산화 5. 산화(Oxidation) 5.1 개요 5.2 Si의 산화반응 5.3 Si의 산화에 영향을 미치는 요인 제6장 확산 6. 확산(Diffusion) 6.1 확산 공정 및 반응 6.2 Fick의 법칙과 확산계수 6.3 확산의 예 6.4 접합(Junction) 6.5 전기적 성질 제7장 이온 주입 7. 이온 주입(Ion Implantation) 7.1 이온 주입 공정에 따른 농도 프로파일 7.2 이온 주입 후의 도펀트 농도 프로파일 변화 7.3 고집적화를 위한 이온 주입 공정 7.4 이온 주입 공정의 예 제8장 박막 증착 8. 박막 증착(Thin Film Deposition) 8.1 기체 충돌 이론 8.2 물리적 기상 증착(Physical vapor deposition) 8.3 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition) 제9장 맺음말