간편결제, 신용카드 청구할인
카카오페이 3,000원
(카카오페이 머니 결제시 최대할인 3천원 / 5만원 이상 결제, 기간 중 1회)
북피니언 롯데카드 30% (17,660원)
(최대할인 3만원 / 3만원 이상 결제)
EBS 롯데카드 20% (20,180원)
(최대할인 3만원 / 3만원 이상 결제)
인터파크 NEW 우리V카드 10% (22,700원)
(최대할인 3만원 / 3만원 이상 결제)
인터파크 현대카드 7% (23,460원)
(최대할인 3만원 / 3만원 이상 결제)
NH쇼핑&인터파크카드 20% (20,180원)
(최대할인 4만원 / 2만원 이상 결제)
Close

CMOS 디지털 집적회로 설계 : 기본 이론부터 실습까지

소득공제

2013년 9월 9일 이후 누적수치입니다.

판매지수 479
?
판매지수란?
사이트의 판매량에 기반하여 판매량 추이를 반영한 인터파크 도서에서의 독립적인 판매 지수입니다. 현재 가장 잘 팔리는 상품에 가중치를 두었기 때문에 실제 누적 판매량과는 다소 차이가 있을 수 있습니다. 판매량 외에도 다양한 가중치로 구성되어 최근의 이슈도서 확인시 유용할 수 있습니다. 해당 지수는 매일 갱신됩니다.
Close
공유하기
정가

26,000원

  • 25,220 (3%할인)

    260P (1%적립)

할인혜택
적립혜택
  • I-Point 적립은 출고완료 후 14일 이내 마이페이지에서 적립받기한 경우만 적립됩니다.
  • 추가혜택
    배송정보
    •  당일배송을 원하실 경우 주문시 당일배송을 선택해주세요.
    • 서울시 강남구 삼성로 512변경
    • 배송지연보상 안내
    • 무료배송
    • 해외배송가능
    주문수량
    감소 증가
    • 이벤트/기획전

    • 연관도서(172)

    • 사은품(1)

    출판사 서평

    - 디지털 집적회로 설계 입문자를 위한 핵심 이론 선별
    - 실무 지식을 기를 수 있는 [시뮬레이션 및 레이아웃 실습] 제공
    - 풍부한 객관식/주관식 연습문제 수록
    - 본문의 주요 개념은 [핵심포인트]로 정리

    실무형 인재를 위한 첫걸음,
    디지털 집적회로 설계의 기본 이론부터 실무 지식까지 담았다!


    누구를 위한 책인가?
    이 책은 디지털 집적회로 설계를 배우려는 전기/전자공학 관련 학생들과 실무자를 대상으로 한다. 크게 집적회로 기초, MOS 기본 회로(CMOS 인버터, MOSFET 스위치 및 전달 게이트), CMOS 디지털 회로(정적 논리회로, 동적 논리회로, 순차회로), 메모리 회로를 다룬다. 전반적으로 디지털 집적회로의 설계 및 해석에 꼭 필요한 핵심 이론을 설명했으며, 이를 제대로 이해했는지 확인할 수 있는 객관식/주관식 연습문제를 수록하였다. 또한, 각 장의 마지막 절에는 '시뮬레이션 및 레이아웃 실습'을 구성하여, 회로에 대한 응용력을 높이고 실무 능력까지 향상시킬 수 있도록 하였다

    주요 실습 내용
    - CMOS 논리 게이트의 레이아웃 설계 및 검증
    - MOSFET 특성 시뮬레이션
    - CMOS 인버터의 DC 특성과 스위칭 특성 시뮬레이션 및 레이아웃 설계
    - 여러 가지 CMOS 논리 게이트와 전달 게이트의 스위칭 특성 시뮬레이션 및 레이아웃 설계
    - 다양한 동적/정적 래치와 플립플롭 회로의 시뮬레이션 및 레이아웃 설계

    부/장별 내용 요약

    1장_ 집적회로 개요
    반도체 집적회로가 발전해 온 과정을 간략히 소개하고, 디지털 집적회로의 설계과정과 웨이퍼 가공에서부터 조립과 검사를 거쳐 최종 제품으로 출하되기까지의 반도체 IC 제조과정을 소개한다.

    2장_ 반도체 제조공정 및 레이아웃
    실리콘 웨이퍼를 만들기 위한 단결정 실리콘 잉곳 형성 과정, 반도체 IC 제조에 사용되는 단위공정과 CMOS 일괄공정, 그리고 반도체 레이아웃의 구성과 레이아웃 설계 규칙에 대해 설명한다.

    3장_ MOSFET 및 기생 RC의 영향
    증가형 및 공핍형 MOSFET의 구조와 문턱전압, 전압-전류 특성에 대해 설명한다. 또한, MOSFET의 기생 커패시턴스 성분, 금속배선의 기생 저항 및 커패시턴스 성분과 이들이 MOS 회로의 동작속도에 미치는 영향을 설명한다.

    4장_ CMOS 인버터
    CMOS, nMOS 및 pseudo nMOS 인버터의 구조와 DC 특성, 스위칭 특성, 전력소모 특성 등을 설명하고, 회로 설계 시에 고려해야 하는 요소들을 알아본다. 또한, 다단 CMOS 인버터 버퍼의 지연시간 모델링과 최적 설계 조건에 대해 설명한다.

    5장_ MOSFET 스위치 및 전달 게이트
    디지털 스위치로 사용되는 통과 트랜지스터와 CMOS 전달 게이트의 특성을 설명하고, 이들을 이용한 회로에 대해 소개한다.

    6장_ 정적 논리회로
    CMOS 및 nMOS 정적 논리회로의 구조와 DC 특성, 스위칭 특성 등에 대해 설명한다. 또한, 논리적 에포트와 전기적 에포트 개념을 기반으로 한 선형 지연모델을 소개하고, 이를 이용한 논리 게이트 및 다단 논리회로의 지연시간 모델링을 설명한다.

    7장_ 동적 논리회로
    CMOS 동적 논리회로의 구조, 동작 원리 및 특성을 설명하고, 도미노 및 np-CMOS 동적 논리회로의 구조와 동작을 설명한다.

    8장_ 순차회로
    디지털 회로에서 데이터 저장소자로 사용되는 래치와 플립플롭의 회로 구성과 동작 방식, 타이밍 파라미터를 설명하고, 순차회로의 동작 타이밍 조건에 대해 설명한다. 또한, 클록 스큐와 클록 지터가 순차회로의 동작에 미치는 영향을 설명한다.

    9장_ 메모리 회로
    반도체 메모리의 종류와 기본 구조를 소개하고, 비휘발성 기억소자인 ROM과 플래시 메모리 셀 회로, 구조 및 동작 원리를 설명한다. 또한, SRAM과 DRAM의 구조와 메모리 셀 회로, 메모리의 읽기와 쓰기 동작, 그리고 DRAM의 리프래시 동작에 대해 설명한다.

    목차

    Chapter 01 집적회로 개요
    1.1 집적회로의 역사
    1.1.1 진공관에서 트랜지스터의 발명까지
    1.1.2 트랜지스터 관련 기술의 발전과정
    1.1.3 집적회로의 발명과 기술의 발전과정
    1.1.4 마이크로프로세서의 발전과정
    1.1.5 반도체 메모리의 발전과정

    1.2 집적회로 설계과정
    1.3 집적회로 제조과정
    1.3.1 웨이퍼 가공공정
    1.3.2 조립 및 패키징 공정
    1.3.3 검사공정
    핵심요약

    Chapter 02 반도체 제조공정 및 레이아웃
    2.1 단결정 실리콘 제조
    2.1.1 고순도 폴리실리콘 제조
    2.1.2 단결정 실리콘 잉곳 성장과 웨이퍼 가공
    2.2 MOS 단위공정
    2.2.1 에피택시공정
    2.2.2 열산화공정
    2.2.3 식각공정
    2.2.4 이온주입공정
    2.2.5 열확산공정
    2.2.6 증착공정
    2.2.7 리소그래피 공정
    2.3 CMOS 일괄공정
    2.4 레이아웃 설계
    2.4.1 레이아웃
    2.4.2 스틱 다이어그램
    2.4.3 레이아웃 설계 규칙
    2.5 레이아웃 설계 실습
    핵심요약
    연습문제

    Chapter 03 MOSFET 및 기생 RC의 영향
    3.1 MOS 구조
    3.2 증가형 MOSFET의 구조 및 특성
    3.2.1 증가형 MOSFET의 구조
    3.2.2 증가형 MOSFET의 문턱전압
    3.2.3 증가형 MOSFET의 전압-전류 특성
    3.2.4 증가형 MOSFET의 누설전류
    3.3 공핍형 MOSFET의 구조 및 특성
    3.4 MOSFET의 기생 커패시턴스
    3.4.1 게이트 커패시턴스
    3.4.2 소오스 /드레인 접합 커패시턴스
    3.5 기생 RC의 영향
    3.5.1 도체의 저항
    3.5.2 금속배선의 커패시턴스 성분
    3.5.3 RC 지연모델
    3.6 PSPICE 시뮬레이션 실습
    핵심요약
    연습문제

    Chapter 04 CMOS 인버터
    4.1 MOS 인버터의 구조 및 특성 파라미터
    4.1.1 MOS 인버터의 일반적인 구조
    4.1.2 MOS 인버터의 DC 특성
    4.1.3 MOS 인버터의 스위칭 특성
    4.2 CMOS 인버터
    4.2.1 CMOS 인버터의 DC 특성
    4.2.2 CMOS 인버터의 스위칭 특성
    4.2.3 CMOS 인버터의 전력소모 특성
    4.2.4 다단 CMOS 인버터 버퍼
    4.3 nMOS 및 pseudo nMOS 인버터
    4.3.1 nMOS 인버터
    4.3.2 pseudo nMOS 인버터
    4.4 시뮬레이션 및 레이아웃 설계 실습
    핵심요약
    연습문제

    Chapter 05 MOSFET 스위치 및 전달 게이트
    5.1 MOSFET 스위치
    5.1.1 nMOS 및 pMOS 스위치
    5.1.2 통과 트랜지스터 논리회로
    5.2 CMOS 전달 게이트
    5.2.1 CMOS 전달 게이트
    5.2.2 CMOS 전달 게이트 응용회로
    5.2.3 CMOS 전달 게이트의 스위칭 특성
    5.3 시뮬레이션 및 레이아웃 설계 실습
    핵심요약
    연습문제

    Chapter 06 정적 논리회로
    6.1 CMOS 정적 논리회로
    6.1.1 CMOS 정적 논리회로의 구조 및 동작
    6.1.2 부울 함수의 CMOS 정적 논리회로 구현
    6.2 CMOS 정적 논리회로의 스위칭 특성
    6.2.1 NAND 게이트의 스위칭 특성
    6.2.2 NOR 게이트의 스위칭 특성
    6.2.3 팬-인과 팬-아웃에 따른 논리 게이트의 스위칭 특성
    6.2.4 복합 논리 게이트의 스위칭 특성
    6.3 논리회로의 지연모델링
    6.3.1 논리 게이트의 지연시간 모델링
    6.3.2 다단 논리회로의 지연모델링
    6.4 비율 논리회로
    6.4.1 nMOS 논리회로
    6.4.2 pseudo nMOS 논리회로
    6.5 차동 캐스코드 전압 스위치 논리회로
    6.6 시뮬레이션 및 레이아웃 설계 실습
    핵심요약
    연습문제

    Chapter 07 동적 논리회로
    7.1 CMOS 동적 논리회로
    7.1.1 동적 논리회로의 구조 및 동작
    7.1.2 동적 논리회로의 동작 특성
    7.1.3 동적 논리회로의 직렬접속
    7.1.4 pseudo 정적 논리회로
    7.2 도미노 동적 논리회로
    7.3 np-CMOS 동적 논리회로
    7.4 시뮬레이션 및 레이아웃 설계 실습
    핵심요약
    연습문제

    Chapter 08 순차회로
    8.1 래치회로
    8.1.1 정적 래치회로
    8.1.2 동적 래치회로
    8.1.3 TSPC 래치
    8.1.4 래치의 타이밍 파라미터
    8.2 플립플롭 회로
    8.2.1 정적 플립플롭 회로
    8.2.2 동적 플립플롭 회로
    8.2.3 TSPC 플립플롭 회로
    8.2.4 플립플롭의 타이밍 파라미터
    8.3 순차회로의 동작 타이밍
    8.3.1 플립플롭 기반 순차회로의 동작 타이밍
    8.3.2 래치 기반 순차회로의 동작 타이밍
    8.4 클록 스큐와 클록 지터의 영향
    8.5 시뮬레이션 및 레이아웃 설계 실습
    핵심요약
    연습문제

    Chapter 09 메모리 회로
    9.1 반도체 메모리 개요
    9.1.1 반도체 메모리의 종류
    9.1.2 반도체 메모리의 구조
    9.2 ROM 회로
    9.2.1 ROM의 구조
    9.2.2 마스크 ROM
    9.2.3 PROM
    9.2.4 EPROM 셀의 동작 원리
    9.2.5 EEPROM 셀의 동작 원리
    9.3 플래시 메모리 회로
    9.3.1 플래시 메모리 셀의 구조 및 동작 원리
    9.3.2 NAND형 플래시 메모리
    9.3.3 NOR형 플래시 메모리
    9.3.4 NAND형과 NOR형의 비교
    9.4 SRAM 회로
    9.4.1 SRAM 구조
    9.4.2 SRAM 셀 회로
    9.4.3 SRAM 셀의 읽기와 쓰기 동작
    9.4.4 감지증폭기 회로
    9.4.5 주소 디코딩 회로
    9.5 DRAM 회로
    9.5.1 메모리 구조
    9.5.2 DRAM 셀 회로
    9.5.3 DRAM 셀의 읽기와 쓰기 동작
    핵심요약
    연습문제

    참고문헌
    찾아보기

    관련이미지

    저자소개

    생년월일 -
    출생지 -
    출간도서 0종
    판매수 0권

    한국항공대학교 전자공학과에서 공학사(1984년)를 취득하고, 연세대학교에서 공학석사(1986년)와 공학박사(1990년) 학위를 취득하였다. 이후, 한국전자통신연구원(ETRI) 반도체연구단에서 근무하였으며, 1991년 7월부터 현재까지 금오공과대학교 전자공학부 교수로 재직 중이다. 일리노이 주립대학교 전기 및 컴퓨터공학과(1995)와 캘리포니아 주립대학교 전기 및 컴퓨터공학과(2003)에서 방문연구를 수행하였으며, 연구 분야는 반도체 회로설계, 통신 및 신호처리용 S-C 설계, 정보보호 S-C 설계, 반도체 IP 설계 등이다.

    [저서 및 역서]
    - CM-S 디지털 집적회로 설계

    펼쳐보기

    이 상품의 시리즈

    IT COOKBOOK 한빛교재 시리즈(총 361권 / 현재구매 가능도서 173권)

    펼쳐보기

    이 책과 내용이 비슷한 책 ? 내용 유사도란? 이 도서가 가진 내용을 분석하여 기준 도서와 얼마나 많이 유사한 콘텐츠를 많이 가지고 있는가에 대한 비율입니다.

      리뷰

      0.0 (총 0건)

      구매 후 리뷰 작성 시, 북피니언 지수 최대 600점

      리뷰쓰기

      기대평

      작성시 유의사항

      평점
      0/200자
      등록하기

      기대평

      0.0

      교환/환불

      교환/환불 방법

      ‘마이페이지 > 취소/반품/교환/환불’ 에서 신청함, 1:1 문의 게시판 또는 고객센터(1577-2555) 이용 가능

      교환/환불 가능 기간

      고객변심은 출고완료 다음날부터 14일 까지만 교환/환불이 가능함

      교환/환불 비용

      고객변심 또는 구매착오의 경우에만 2,500원 택배비를 고객님이 부담함

      교환/환불 불가사유

      반품접수 없이 반송하거나, 우편으로 보낼 경우 상품 확인이 어려워 환불이 불가할 수 있음
      배송된 상품의 분실, 상품포장이 훼손된 경우, 비닐랩핑된 상품의 비닐 개봉시 교환/반품이 불가능함

      소비자 피해보상

      소비자 피해보상의 분쟁처리 등에 관한 사항은 소비자분쟁해결기준(공정거래위원회 고시)에 따라 비해 보상 받을 수 있음
      교환/반품/보증조건 및 품질보증 기준은 소비자기본법에 따른 소비자 분쟁 해결 기준에 따라 피해를 보상 받을 수 있음

      기타

      도매상 및 제작사 사정에 따라 품절/절판 등의 사유로 주문이 취소될 수 있음(이 경우 인터파크도서에서 고객님께 별도로 연락하여 고지함)

      배송안내

      • 인터파크 도서 상품은 택배로 배송되며, 출고완료 1~2일내 상품을 받아 보실 수 있습니다

      • 출고가능 시간이 서로 다른 상품을 함께 주문할 경우 출고가능 시간이 가장 긴 상품을 기준으로 배송됩니다.

      • 군부대, 교도소 등 특정기관은 우체국 택배만 배송가능하여, 인터파크 외 타업체 배송상품인 경우 발송되지 않을 수 있습니다.

      • 배송비

      도서(중고도서 포함) 구매

      2,000원 (1만원이상 구매 시 무료배송)

      음반/DVD/잡지/만화 구매

      2,000원 (2만원이상 구매 시 무료배송)

      도서와 음반/DVD/잡지/만화/
      중고직배송상품을 함께 구매

      2,000원 (1만원이상 구매 시 무료배송)

      업체직접배송상품 구매

      업체별 상이한 배송비 적용