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『NAND Flash 메모리: 동작특성』은 NAND Flash의 기본 동작 및 동작으로서 나타나는 특성을 알아보는 책으로, NAND Flash를 처음 접하는 학생들과 NAND Flash 메모리를 응용한 시스템을 다루는 기술자들에게 유용한 정보를 제공한다.

이 책은 NAND Flash의 기초이자 핵심 3대동작인 Program, Erasure, Read 동작을 기초로 하여, NAND Flash와 연결된 반도체 물리 현상에서부터, NAND의 Architecture 및NAND의 성공여부를 결정하는 문턱전압(Vth : Threshold Voltage)이 형성하는 확률적 분포에 대한 중점사항들도 쉽게 이해할 수 있도록 기본 원리를 파악할 수 있는 흐름으로 설명하였다. 특히, 반도체의 동작을 시작하는 문턱전압인 Vth를 이용하여 SLC에서 같은 면적의 Hardware로 Multi bit인 MLC와 TLC로의 용량 확장 기술은 NAND Flash의 핵심 중의 핵심이자 혁신적인 발상이다. 휘발성 메모리의 Write 동작과는 다른 방식으로 정보를 저장하는 Non-volatile의 Program 동작 방법도 오랜 기간 동안의 고안이 담겨있는 진화의 산물이며, Erasure와 Read 동작 방법또한 Program 동작에 버금가는 중요하고 획기적인 발상들이 숨어있다. 이 책의 도처에 담겨져 있는 NAND Flash의 수많은 발명자들의 발자취를 따라가며 NAND만의 독특한 아이디어들을 쉽게 접하고, 독자들이 희열을 느낄 수 있도록 각각의 이론과 방법들이 단계별로 전개되어 있다.

또한 이 책 속에는, Technology가 고도화 되면서 당면하게 되는 NAND의 기술적/신뢰성 한계를 극복하기 위하여 구조/동작/간섭/Data 보관/ Data 반복적 사용상의 문제들을 해결해 온 개발들의 끊임없는 진화가 펼쳐져 있다. 또한 제품의 발전 측면으로는, 구조적 변화인 3D NAND와 특성적 변화인 차세대 제품 개발을 소개하였으며, 향후 NAND를 포함한 반도체 사업의 미래 방향도 제시하고 있다. NAND의 기초부터 차례로 Story형식으로 NAND 이론이 성숙되어 가는 모습을 담아, NAND란 제품의 속성을 전반적으로 이해할 수 있도록 영역을 넓게 그리고 기술적 깊이는 얇게 구성하였다.

NAND Flash 산업이 시작되고 나서 20여년 가까이 제대로 된 NAND Flash 관련 이론서가 나오지 않다가, 비로서 NAND 제품의 기본동작에 대하여 알 수 있는 책이 출간되었다. 반도체 관련한 책은 많이 나와 있지만, 대부분 반도체 공정에 대한 책들이고, 반도체 제품을 집중적으로 다룬 책은 그리 많지 않다. 그 중에 특히 비휘발성 메모리인 NAND Flash에 관련한 책은 더욱 희귀하다.

이번에 개정판으로 소개되는 'NAND Flash 메모리 동작특성'은 초판이 2015년 7월에 발행되었고, 개정판이 1년 후인 2016년 8월에 나왔다. 이 책은 NAND Flash를 집중적으로 다룬 책으로는 전세계적으로 두번째로 출간된 도서이다. 비휘발성메모리 혹은 NOR Flash 관련한 책은 오래 전에 나오기도 했으나, 오래된 Technology가 소개되어 있거나 혹은 NAND Flash를 전문으로 다룬 책이라 하더라도, 일부 국한된 Engineering을 위한 High level 내용으로써 너무 세부적인 내용으로 치우쳐져 있어서 기초전자지식을 갖고 있는 일반 Engineer들이 접근하기 어렵게 설명 되어있었다. 그런 단점을 보안하기 위하여, 'NAND Flash 메모리 동작특성'은 NAND Flash가 어떻게 동작되는지, NAND Flash의 구성은 무엇인지, 현재의 NAND Flash가 안고 있는 문제점은 무엇인지, 어떤 방향으로 이를 해결해 나아가야 하는지에 대하여, 기본적인 전자관련 지식을 이해하고 있는 Engineer들이 쉽게 접근 할 수 있도록 반도체 Technology와 NAND 제품에 대한 내용을 적절히 배합하여, 전반적인 NAND Flash에 대하여 다루었고, 더불어서 Non-volatile Memory 특히 NAND Flash가 나아가야 할 좌표도 함께 제시하고 있다.

이번에 출간되는 개정판 'NAND Flash 메모리 동작특성'은 그런 의미에서 NAND 제품의 질적 성장을 위한 NAND Flash memory의 이론을 정립하는 계기가 될 것이다. 그리고 이의 이론 정립을 통하여 NAND Flash을 기반으로 한 응용제품에 끼칠 시너지 영향은 크다 하겠다. 더 나아가 'NAND Flash 메모리 동작특성'을 발판으로 NAND 제품 관련 많은 이론서들이 출간되고, 기술의 변곡점에 있는 NAND 및 차세대 제품들의 연구와 개발이 더욱 활성화되어, 반도체 memory 산업발전에 이바지 할 수 있는 디딤돌이 될 책으로 평가된다.

Chapter 01 에너지 양자화와 Fermi 확률함수
Chapter 02 Carrier 생성과 Energy Level
Chapter 03 NAND Flash의 기본 소자, MOSFET 특성
Chapter 04 NAND Flash의 Architecture
Chapter 05 Threshold Voltage와 제품 다변화
Chapter 06 Program, Electron Injection
Chapter 07 Erasure, NAND의 고유특성
Chapter 08 Read, Cell 상태의 구분 및 출력
Chapter 09 NAND의 신뢰성과 불량 Mechanism
Chapter 10 NAND Density 확장 방향

Index
후기
Appendix