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»ï¼ºÀüÀÚ¡¤SKÇÏÀ̴нº¡¤¼¼¸Þ½º¡¤ASML¡¤¿øÀÍ¡¤TEL¡¤AMKOR
Á¤°¡ |
25,000¿ø |
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22,500¿ø (10%ÇÒÀÎ)
250P (1%Àû¸³)
ÇÒÀÎÇýÅÃ | |
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·¿À¯ÀÎÀº Since 2013³âºÎÅÍ ½ÃÀÛÇÏ¿© ¡°Ã·´Ü±â¼úÁö½ÄÀÇ ´ëÁßȸ¦ ¼±µµÇÏ´Â ±â¾÷À¸·Î½á ÷´Ü±â¼ú Á¤º¸, Áö½ÄÀ» ½±°í ºü¸£°Ô Àü´ÞÇÏ¿©, »çȸ ±¸¼º¿ø°£ Á¤º¸ÀÇ ºñ´ëĪÀ» ÇؼÒÇÏ°í ±â¼ú °øÇÐºÐ¾ß Àü¹®Áö½ÄÀÇ ´ëÁßȸ¦ À̲ô´Â 1µî ±â¾÷ÀÌ µÈ´Ù!¡±¶ó´Â »ç¸íÀ» °¡Áö°í ¿î¿µÇÏ°í ÀÖ½À´Ï´Ù. »ï¼ºÀüÀÚ/µð½ºÇ÷¹ÀÌ, LGµð½ºÇ÷¹ÀÌ, SKÇÏÀ̴нº µî ÁÖ¿ä ´ë±â¾÷À» Æ÷ÇÔÇÏ¿© ´©Àû ÇÕ°Ý»ý 11,388¸íÀÇ ÇÕ°ÝÀÚ¸¦ ¹èÃâÇßÀ¸¸ç, 2016³â 8¿ùºÎÅÍ ½ÃÀÛÇÑ NCS ÀÌ°ø°è Àü°ø¡¤Á÷¹« ¿Â¶óÀÎ °úÁ¤Àº Çѱ¹»ê¾÷±â¼ú´ë Àü¹®À§¿øÀ¸·ÎºÎÅÍ °úÁ¤³»¿ë¿¡ ´ëÇÑ °ËÅ並 ¹ÞÀº °ÀÇÀÔ´Ï´Ù. ¶ÇÇÑ ±¹³» ¹ÝµµÃ¼, µð½ºÇ÷¹ÀÌ, ÀÚµ¿Â÷ »ê¾÷ÀÇ ÁÖ¿ä ±â¾÷ 4,168¿© °³ ±â¾÷À» ´ë»óÀ¸·Î 370,099¸íÀÇ ÀçÁ÷ÀÚ(´©Àû)µé¿¡°Ô Á÷¹«±³À°À» Á¦°øÇÏ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
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2019³â »ó/ÇϹݱ⠽ÇÁ¦ Àü°ø¸éÁ¢ ¹®Á¦ ÀûÁß!(¿¹»ó¹®Á¦)
ÀÌ°ø°è Æ¯È Ãë¾÷ ¾ÆÄ«µ¥¹Ì 1À§ ·¿À¯ÀÎÀÇ Àü°ø ¸éÁ¢ ¹ÝµµÃ¼ ½ÇÀüÆí Ãâ°£!
¡ºÇѱÇÀ¸·Î ³¡³»´Â Àü°ø ¸éÁ¢ ¹ÝµµÃ¼ ½ÇÀüÆí(¼ÒÀÚ¤ý°øÁ¤¤ý¼³ºñ(±â°è)¤ýÆò°¡/ºÐ¼®¤ý»ê¾÷ ±âÃâ Á¤º¹)¡»Àº ·¿À¯ÀÎ Àü°ø ¸éÁ¢ ´ëÇ¥ ½Ã¸®Áî·Î »ï¼ºÀüÀÚ, SKÇÏÀ̴нº, ¼¼¸Þ½º, ASML, ¿øÀÍIPS, TEL, ·¥¸®¼Ä¡, AMK, Amkor µî ¹ÝµµÃ¼ ´ë±â¾÷/Áß°ß±â¾÷ Àü°ø ¸éÁ¢À» ÁغñÇÏ´Â ¼öÇè»ýÀÌ ¹Ýµå½Ã ¾Ë¾Æ¾ß ÇÒ Á÷¹«/Àü°øº° ±âÃâ¹®Á¦¸¦ ¼ö·ÏÇÑ ¸éÁ¢ ´ëºñ¼ÀÌ´Ù.
¹ÝµµÃ¼ ±â¾÷ Àü°ø¸éÁ¢ ÃֽŠ4°³³â ±âÃâ¹®Á¦¸¦ ÁÖÁ¦º°·Î »ó¼¼ÇÏ°Ô È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ´ã¾ÒÀ¸¸ç, ƯÈ÷ ¹®Á¦¸¶´Ù ±âÀԵǾî ÀÖ´Â ÃâÁ¦À¯Çü°ú Àü°øÀ» È®ÀÎÇÏ¸é¼ Àڽſ¡°Ô ¸Â´Â ±âÃâ¹®Á¦¸¦ °ñ¶ó È¿À²ÀûÀ¸·Î ÇнÀÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ±¸¼ºÇÏ¿´´Ù.
¶ÇÇÑ ±âÃâ¹®Á¦¸¦ ÀÚ¼¼ÇÏ°Ô ºÐ¼®ÇÑ ÆǼ/¼³¸í TIPÀ» °¢ ´ëÇ¥ ±âÃâ¹®Á¦¸¶´Ù ´ã¾Æ ¡®ÁÖÁ¦ ¡æ Çٽɿë¾î ¡æ ¼³¸í¡¯ÀÇ ¼ø¼·Î ü°èÀûÀÎ ½ÇÀü PT¸éÁ¢ ´ëºñ¸¦ ÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ¸ð¹ü´ä¾ÈÀ» Á¦½ÃÇÑ´Ù.
´õºÒ¾î ´ë±â¾÷ ¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸¿øÀÌ Á÷Á¢ Á¦ÀÛÇÑ ¹ÝµµÃ¼ Á÷¹«º° ¿ë¾îÁýÀ» ÅëÇØ ¹ÝµµÃ¼ °³³ä ÀÌÇظ¦ À§ÇØ ²À ÇÊ¿äÇÑ ¿ë¾îµéÀ» ¾ðÁ¦ ¾îµð¼³ª ÇнÀÇÒ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÇÑ´Ù.
¸ñÂ÷
PART 01 ¼ÒÀÚ
Part ÇÑ´«¿¡ º¸±â
±âÃâ¹®Á¦ 1 ¹ÝµµÃ¼ ¿¡³ÊÁö ¹êµå¿Í ¹êµå °¸
±âÃâ¹®Á¦ 2 MOSFET ±¸Á¶¿Í µ¿ÀÛ¿ø¸®
±âÃâ¹®Á¦ 3 MOSFET ¹êµå ´ÙÀ̾î±×·¥
±âÃâ¹®Á¦ 4 MOSFET ¹®ÅÎÀü¾Ð(Threshold Voltage)
±âÃâ¹®Á¦ 5 Short Channel Effect ¿øÀÎ ¹× ´ëÃ¥
±âÃâ¹®Á¦ 6 PMOS°¡ NMOSº¸´Ù ´À¸° ÀÌÀ¯¿Í ÇØ°á¹æ¾È
±âÃâ¹®Á¦ 7 HKMG(High£k Metal Gate) °øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 8 FinFET °øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 9 DRAMÀÇ ±¸Á¶¿Í µ¿ÀÛ¿ø¸®
±âÃâ¹®Á¦ 10 DRAMÀÌ Èֹ߼ºÀÎ ÀÌÀ¯¿Í È¿À² Çâ»ó ¹æ¹ý
±âÃâ¹®Á¦ 11 DRAMÀÌ ¹Ì¼¼ÈµÉ ¶§ Á¤Àü¿ë·® Áõ°¡ ¹æ¹ý
±âÃâ¹®Á¦ 12 DRAMÀÇ ¹Ì¼¼ °øÁ¤È¿¡ µû¸¥ ÇÑ°è ±Øº¹ ¹æ¾È
±âÃâ¹®Á¦ 13 ³½µå Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ±¸Á¶¿Í µ¿ÀÛ¿ø¸®
±âÃâ¹®Á¦ 14 ³½µå Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® Á¾·ù(SLC, MLC, TLC)¿Í ¼ö¸íÀ» ´Ã¸®´Â ¹æ¹ý
±âÃâ¹®Á¦ 15 3D ³½µå Ç÷¡½Ã ±¸Á¶¿Í µ¿ÀÛ¿ø¸®, ±¸Á¶±â¼ú
±âÃâ¹®Á¦ 16 3D ³½µå Ç÷¡½Ã °øÁ¤ À̽´¿Í ÇØ°áÃ¥
±âÃâ¹®Á¦ 17 DRAM, SRAM, ³½µå Ç÷¡½Ã ¸Þ¸ð¸® ºñ±³
±âÃâ¹®Á¦ 18 Â÷¼¼´ë ¸Þ¸ð¸®(STT£MRAM, RRAM) ±¸Á¶¿Í µ¿ÀÛ¿ø¸®
±âÃâ¹®Á¦ 19 ¹«¾îÀÇ ¹ýÄ¢°ú ½ºÄÉÀϸµÀÇ À̽´ ¹× Áøº¸µÈ °øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 20 PN Á¢ÇÕ(PN Junction) ¹êµå ´ÙÀ̾î±×·¥
±âÃâ¹®Á¦ 21 MOSFET ´©¼³Àü·ù
PART 02 °øÁ¤
Part ÇÑ´«¿¡ º¸±â
±âÃâ¹®Á¦ 1 ¹ÝµµÃ¼ 8´ë °øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 2 Æ÷Åä°øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 3 HMDSÀÇ ±â´É°ú Contact Angle
±âÃâ¹®Á¦ 4 Æ÷Åä°øÁ¤¿¡¼ ³ë±¤ ÇØ»ó·ÂÀ» ³ôÀÌ´Â ¹æ¹ý
±âÃâ¹®Á¦ 5 ¾×ħ³ë±¤(Immersion Lithography) ¿ø¸®¿Í ¹®Á¦Á¡, ÇØ°áÃ¥
±âÃâ¹®Á¦ 6 ¹Ì¼¼È Æ÷Åä°øÁ¤ÀÇ ¹®Á¦Á¡°ú ºÐÇØ´É Çâ»ó ±â¼ú
±âÃâ¹®Á¦ 7 ¸ÖƼ ÆÐÅÍ´×(Multi Patterning) ±â¼ú
±âÃâ¹®Á¦ 8 ¸®ÇÁÆ® ¿ÀÇÁ(Lift£off) °øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 9 ½Ä°¢°øÁ¤[½À½Ä(Wet)½Ä°¢°ú °Ç½Ä(Dry)½Ä°¢]
±âÃâ¹®Á¦ 10 ÇöóÁ ½Ä°¢ ¿ø¸®¿Í ½Ä°¢¼³ºñ
±âÃâ¹®Á¦ 11 ¹Ú¸·ÁõÂø(Thin film Deposition) ¹æ¹ý°ú Á¾·ù
±âÃâ¹®Á¦ 12 ALD(Atomic Layer Deposition) °øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 13 ÀÌ¿ÂÁÖÀÔ(Ion Implantation) °øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 14 Al ±Ý¼Ó¹è¼± °øÁ¤°ú Cu ´Ù¸¶½Å °øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 15 ½Ç¸®»çÀ̵å(Silicide) °øÁ¤
±âÃâ¹®Á¦ 16 CMP °øÁ¤¿ø¸®¿Í ¹®Á¦Á¡(1)
±âÃâ¹®Á¦ 17 CMP °øÁ¤¿ø¸®¿Í ¹®Á¦Á¡(2)
±âÃâ¹®Á¦ 18 RC Delay
±âÃâ¹®Á¦ 19 HDP-CVD ¹æ½ÄÀ» ÅëÇÑ VoidÀÇ ÇØ°á ¹æ¹ý
PART 03 ¼³ºñ(±â°è)
Part ÇÑ´«¿¡ º¸±â
±âÃâ¹®Á¦ 1 ¿Àü´Þ ¸ÞÄ¿´ÏÁò°ú Á¾·ù
±âÃâ¹®Á¦ 2 ·¹À̳îÁî ¼ö¿Í Ãþ·ù, ³·ù
±âÃâ¹®Á¦ 3 Á¡¼º°ú ¿îµ¿·® ¹æÁ¤½Ä (¿ÀÀÏ·¯, ³ªºñ¿¡ ½ºÅäÅ©)
±âÃâ¹®Á¦ 4 º£¸£´©ÀÌ ¹æÁ¤½Ä, ´ÙÀ̽¼ ¼±Ç³±â, Cavitation
±âÃâ¹®Á¦ 5 ÀÀ·Â°ú º¯Çü·üÀÇ °ü°è, ÈÅÀÇ ¹ýÄ¢
±âÃâ¹®Á¦ 6 º¸ÀÇ Ã³Áü
±âÃâ¹®Á¦ 7 À¯µ¿À» ±ÕÀÏÇÏ°Ô ¸¸µå´Â ¹æ¹ý
±âÃâ¹®Á¦ 8 ¿¿ªÇÐ ¹ýÄ¢
±âÃâ¹®Á¦ 9 ¹ÝµµÃ¼¿¡¼ÀÇ Áø°øÀÇ ÀǹÌ
PART 04 Æò°¡ ¹× ºÐ¼®
Part ÇÑ´«¿¡ º¸±â
±âÃâ¹®Á¦ 1 ÃøÁ¤ Àåºñ¿Í ºÐÇØ´É
±âÃâ¹®Á¦ 2 ÃøÁ¤±â±âÀÇ ½Å·Ú¼º Æò°¡
PART 05 ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷
Part ÇÑ´«¿¡ º¸±â
±âÃâ¹®Á¦ 1 Â÷·®¿ë(Automotive) ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Æ¯¼º
±âÃâ¹®Á¦ 2 ÁÖ¿ä ¹ÝµµÃ¼ ¾÷ü(»ï¼ºÀüÀÚ, SKÇÏÀ̴нº)ÀÇ Áַ»ç¾÷(Á¦Ç°)
±âÃâ¹®Á¦ 3 ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ Æ¯¼º
PART 06 ¿¹»ó¹®Á¦
¿¹»ó¹®Á¦ 1 PN ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ Æı«(Breakdown)
¿¹»ó¹®Á¦ 2 Gate all around(GAA) FET
¿¹»ó¹®Á¦ 3 °Ç½Ä½Ä°¢ÀÇ Áß¿ä °øÁ¤ ÆĶó¹ÌÅÍ
¿¹»ó¹®Á¦ 4 CVD °øÁ¤¿¡¼ÀÇ Wafer£to£Wafer ±ÕÀϵµ ¹®Á¦ ¹ß»ý
¿¹»ó¹®Á¦ 5 ¼öÀ²(Yield)°ú °áÇÔ(Defect)
°ü·ÃÀ̹ÌÁö
ÀúÀÚ¼Ò°³
»ý³â¿ùÀÏ | - |
---|
ÇØ´çÀÛ°¡¿¡ ´ëÇÑ ¼Ò°³°¡ ¾ø½À´Ï´Ù.
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´õº¸±â»óÇ°Á¤º¸Á¦°ø°í½Ã
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ÀÌ »óÇ°ÀÇ ½Ã¸®Áî
(ÃÑ 1±Ç / ÇöÀ籸¸Å °¡´Éµµ¼ 0±Ç)
Àڰݼ/¼öÇè¼ ºÐ¾ß¿¡¼ ¸¹Àº ȸ¿øÀÌ ±¸¸ÅÇÑ Ã¥
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102-81-11670 |
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1544-1900 |
ÀüÀÚ¿ìÆíÁÖ¼Ò |
callcenter@kyobobook.co.kr |
Åë½ÅÆǸž÷½Å°í¹øÈ£ |
01-0653 |
¿µ¾÷¼ÒÀçÁö |
¼¿ïƯº°½Ã Á¾·Î±¸ Á¾·Î 1(Á¾·Î1°¡,±³º¸ºôµù) |
±³È¯/ȯºÒ
¹ÝÇ°/±³È¯ ¹æ¹ý |
¡®¸¶ÀÌÆäÀÌÁö > Ãë¼Ò/¹ÝÇ°/±³È¯/ȯºÒ¡¯ ¿¡¼ ½Åû ¶Ç´Â 1:1 ¹®ÀÇ °Ô½ÃÆÇ ¹× °í°´¼¾ÅÍ(1577-2555)¿¡¼ ½Åû °¡´É |
---|---|
¹ÝÇ°/±³È¯°¡´É ±â°£ |
º¯½É ¹ÝÇ°ÀÇ °æ¿ì Ãâ°í¿Ï·á ÈÄ 6ÀÏ(¿µ¾÷ÀÏ ±âÁØ) À̳»±îÁö¸¸ °¡´É |
¹ÝÇ°/±³È¯ ºñ¿ë |
º¯½É ȤÀº ±¸¸ÅÂø¿À·Î ÀÎÇÑ ¹ÝÇ°/±³È¯Àº ¹Ý¼Û·á °í°´ ºÎ´ã |
¹ÝÇ°/±³È¯ ºÒ°¡ »çÀ¯ |
·¼ÒºñÀÚÀÇ Ã¥ÀÓ ÀÖ´Â »çÀ¯·Î »óÇ° µîÀÌ ¼Õ½Ç ¶Ç´Â ÈÑ¼ÕµÈ °æ¿ì ·¼ÒºñÀÚÀÇ »ç¿ë, Æ÷Àå °³ºÀ¿¡ ÀÇÇØ »óÇ° µîÀÇ °¡Ä¡°¡ ÇöÀúÈ÷ °¨¼ÒÇÑ °æ¿ì ·º¹Á¦°¡ °¡´ÉÇÑ »óÇ° µîÀÇ Æ÷ÀåÀ» ÈѼÕÇÑ °æ¿ì ·½Ã°£ÀÇ °æ°ú¿¡ ÀÇÇØ ÀçÆǸŰ¡ °ï¶õÇÑ Á¤µµ·Î °¡Ä¡°¡ ÇöÀúÈ÷ °¨¼ÒÇÑ °æ¿ì ·ÀüÀÚ»ó°Å·¡ µî¿¡¼ÀÇ ¼ÒºñÀÚº¸È£¿¡ °üÇÑ ¹ý·üÀÌ Á¤ÇÏ´Â ¼ÒºñÀÚ Ã»¾àöȸ Á¦ÇÑ ³»¿ë¿¡ ÇØ´çµÇ´Â °æ¿ì |
»óÇ° Ç°Àý |
°ø±Þ»ç(ÃâÆÇ»ç) Àç°í »çÁ¤¿¡ ÀÇÇØ Ç°Àý/Áö¿¬µÉ ¼ö ÀÖÀ½ |
¼ÒºñÀÚ ÇÇÇغ¸»ó |
·»óÇ°ÀÇ ºÒ·®¿¡ ÀÇÇÑ ±³È¯, A/S, ȯºÒ, Ç°Áúº¸Áõ ¹× ÇÇÇغ¸»ó µî¿¡ °üÇÑ »çÇ×Àº¼ÒºñÀÚºÐÀïÇØ°á ±âÁØ (°øÁ¤°Å·¡À§¿øȸ °í½Ã)¿¡ ÁØÇÏ¿© ó¸®µÊ ·´ë±Ý ȯºÒ ¹× ȯºÒÁö¿¬¿¡ µû¸¥ ¹è»ó±Ý Áö±Þ Á¶°Ç, ÀýÂ÷ µîÀº ÀüÀÚ»ó°Å·¡ µî¿¡¼ÀǼҺñÀÚ º¸È£¿¡ °üÇÑ ¹ý·ü¿¡ µû¶ó ó¸®ÇÔ |
(ÁÖ)ÀÎÅÍÆÄÅ©Ä¿¸Ó½º´Â ȸ¿ø´ÔµéÀÇ ¾ÈÀü°Å·¡¸¦ À§ÇØ ±¸¸Å±Ý¾×, °áÁ¦¼ö´Ü¿¡ »ó°ü¾øÀÌ (ÁÖ)ÀÎÅÍÆÄÅ©Ä¿¸Ó½º¸¦ ÅëÇÑ ¸ðµç °Å·¡¿¡ ´ëÇÏ¿©
(ÁÖ)KGÀ̴Ͻýº°¡ Á¦°øÇÏ´Â ±¸¸Å¾ÈÀü¼ºñ½º¸¦ Àû¿ëÇÏ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
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±³º¸¹®°í »óÇ°Àº Åùè·Î ¹è¼ÛµÇ¸ç, Ãâ°í¿Ï·á 1~2Àϳ» »óÇ°À» ¹Þ¾Æ º¸½Ç ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
Ãâ°í°¡´É ½Ã°£ÀÌ ¼·Î ´Ù¸¥ »óÇ°À» ÇÔ²² ÁÖ¹®ÇÒ °æ¿ì Ãâ°í°¡´É ½Ã°£ÀÌ °¡Àå ±ä »óÇ°À» ±âÁØÀ¸·Î ¹è¼ÛµË´Ï´Ù.
±ººÎ´ë, ±³µµ¼Ò µî ƯÁ¤±â°üÀº ¿ìü±¹ Åù踸 ¹è¼Û°¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
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